[发明专利]具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件

权利要求书

1.一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO₂隔离介质、沟槽、一次N^-外延层、P⁺离子注入区、二次N^-外延层、N⁺衬底区和欧姆接触区，

金属和SiO₂隔离介质位于二次N-外延层上方，金属和SiO₂隔离介质相邻，且金属与和SiO₂隔离介质有相重合之处，沟槽位于金属下方，二次N-外延层的表面；

所述P+离子注入区处于一次N^-外延层的表面，沟槽与P⁺离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P⁺离子注入区上下对齐，形状相同，浮动结采用圆形、六棱形或方形的块状埋层，所述一次N^-外延层位于所述N+衬底之上，厚度为5～15μm，所述二次N^-外延层位于所述一次N^-外延层上方，厚度是5～15μm，所述一次N^-外延层和所述二次N^-外延层的总厚度为20μm，所述沟槽的深度为1～3μm。

2.根据权利要求1所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述沟槽与P⁺离子注入区形状相同，面积相等，且沟槽与此沟槽下方的块状P⁺离子注入区的边缘对齐。

3.根据权利要求1所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述的沟槽与非P⁺离子注入区形状相同，面积相等，且沟槽与此沟槽下方的非P⁺离子注入区的边缘对齐。

4.根据权利要求3所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺离子注入区采用圆形的块状埋层，圆形形的排列方式包括多行平行排列的圆形、多行交错排列的圆形。

5.根据权利要求3所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺离子注入区采用六棱形的块状埋层，六棱形的排列方式包括多行平行排列的六棱形、多行交错排列六棱形和蜂巢状排列的六棱形。

6.根据权利要求3所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺离子注入区采用方形的块状埋层，方形的排列方式包括多行平行排列的方形、不相邻交错排列的方形和相邻交错排列的方形。

7.根据权利要求1或2所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，P⁺离子注入区的掺杂浓度为1x10¹⁷cm^-3～1x10¹⁹cm^-3，厚度为0.4～0.6μm。

8.根据权利要求7所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述一次N^-外延层和所述二次N^-外延层的掺杂浓度为1x10¹⁵cm^-3～1x10¹⁶cm^-3。

9.根据权利要求7所述的具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述金属和SiO₂隔离介质位于二次N^-外延层上方；金属和SiO₂隔离介质相邻。