[发明专利]能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜及制备有效
申请号: | 201410165934.0 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN103943646B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 陶春先;崔潇;何梁;洪瑞金;张大伟 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/339 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能够 增强 电荷 耦合 元件 紫外 响应 能力 光学薄膜 制备 | ||
1.一种能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,其特征在于,包括:
镀在所述电荷耦合元件的紫外接收面上的底部反射镜、镀在所述底部反射镜表面的荧光材料层、以及镀在所述荧光材料层表面的顶部反射镜,
其中,所述顶部反射镜从所述荧光材料层向外依次包括厚度为59.0nm±5nm的高折射率材料层、厚度为88.3nm±5nm的低折射率材料层、厚度为62.4nm±5nm的高折射率材料层、厚度为90.9nm±5nm的低折射率材料层、厚度为62.1nm±5nm的高折射率材料层、厚度为91.2nm±5nm的低折射率材料层、厚度为63.3nm±5nm的高折射率材料层、厚度为91.4nm±5nm的低折射率材料层、厚度为63.1nm±5nm的高折射率材料层、厚度为93.3nm±5nm的低折射率材料层、厚度为62.6nm±5nm的高折射率材料层、厚度为92.2nm±5nm的低折射率材料层、厚度为64.4nm±5nm的高折射率材料层、厚度为86.2nm±5nm的低折射率材料层、厚度为38.2nm±5nm的高折射率材料层、厚度为15.0nm±5nm的低折射率材料层、以及厚度为9.3nm±5nm的高折射率材料层,
所述底部反射镜依次由六层高折射率材料层和五层低折射率材料层交替重叠组成,该高折射率材料层的厚度均为61.7nm±5nm,该低折射率材料层的厚度均为88.7nm±5nm,
所述高折射率材料层由高折射率材料制成,所述低折射率材料层由低折射率材料制成,所述荧光材料层由荧光材料制成,厚度为120nm~180nm之间的任意数值。
2.根据权利要求1所述的能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,其特征在于:
其中,所述顶部反射镜从所述荧光材料层向外依次由厚度为59.0nm的高折射率材料层、厚度为88.3nm的低折射率材料层、厚度为62.4nm的高折射率材料层、厚度为90.9nm的低折射率材料层、厚度为62.1nm的高折射率材料层、厚度为91.2nm的低折射率材料层、厚度为63.3nm的高折射率材料层、厚度为91.4nm的低折射率材料层、厚度为63.1nm的高折射率材料层、厚度为93.3nm的低折射率材料层、厚度为62.6nm的高折射率材料层、厚度为92.2nm的低折射率材料层、厚度为64.4nm的高折射率材料层、厚度为86.2nm的低折射率材料层、厚度为38.2nm的高折射率材料层、厚度为15.0nm的低折射率材料层、以及厚度为9.3nm的高折射率材料层构成,
所述底部反射镜从所述电荷耦合元件表面向外依次由高折射率材料层、低折射率材料层、高折射率材料层、低折射率材料层、高折射率材料层、低折射率材料层、高折射率材料层、低折射率材料层、高折射率材料层、低折射率材料层、以及高折射率材料层构成,该高折射率材料层的厚度均为61.7nm,低折射率材料层的厚度均为88.7nm。
3.根据权利要求1所述的能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,其特征在于:
其中,所述荧光材料层的厚度为140nm。
4.根据权利要求1所述的能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,其特征在于:
其中,所述高折射率材料为二氧化铪或二氧化锆,所述低折射率材料为氟化镁或二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜,其特征在于:
其中,所述荧光材料为路马进或晕苯中的任意一种或二者的混合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的