[发明专利]带有牺牲阳极的半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

在集成电路IC晶圆上形成导电层；

在所述导电层的主表面上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层具有比所述导电层高的氧化还原电位；

在所述第一牺牲层上形成钝化层；

从所述导电层的主表面上的接合区移除部分钝化层和部分第一牺牲层；以及

在所述钝化层上形成密封材料，所述密封材料接触所述牺牲层的暴露部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述密封材料之前在所述接合区上形成导电接合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述钝化层之前，所述方法还包括：

图形化所述导电层和所述第一牺牲层；

在所述图形化的导电层和所述图形化的第一牺牲层上形成第二牺牲层；以及

蚀刻所述第二牺牲层以沿着所述第一牺牲层和所述导电层的侧壁形成间隔物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中移除部分钝化层和部分第一牺牲层包括移除所述接合区上的部分第一牺牲层以形成所述第一牺牲层的牺牲阳极，同时使所述间隔物完整无缺。

5.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述密封材料包括在所述钝化层上形成所述密封材料，并且所述密封材料接触所述第一牺牲层的暴露部分。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电焊盘由铝形成以及所述导电接合由铜形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层包括：

在所述导电层的主表面上以及沿着所述导电层的侧壁形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成第二钝化层；

形成光致抗蚀剂层以掩盖所述导电层周围的第一和第二钝化层；

移除所述第一和第二钝化层的未掩盖部分包括形成位于第一钝化层内与所述导电层的主表面相邻的底切区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述牺牲层包括：

在所述第二钝化层上、所述底切区内以及所述导电层的所述主表面上沉积所述牺牲层；

蚀刻所述牺牲层以在所述接合区周围形成牺牲阳极。

9.一种封装半导体器件，包括：

半导体晶圆；

位于所述晶圆表面上的导电焊盘；

围绕位于所述导电焊盘上的接合区的两个或更多个外围边沿的牺牲材料，所述牺牲材料具有比所述导电焊盘高的氧化还原电位；

位于所述接合区内的导电接合；以及

形成于所述导电接合上并直接接触所述牺牲材料的密封材料。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述牺牲材料由第一牺牲层和第二牺牲层形成，所述第一牺牲层形成围绕所述导电焊盘的外围的牺牲间隔物，以及所述第二牺牲层形成围绕所述接合区的所述外围边沿、与所述晶圆表面接触的牺牲阳极。

11.根据权利要求9所述的器件，还包括：

与所述牺牲材料的暴露部分相邻形成的钝化层。

12.根据权利要求9所述的器件，其中所述导电焊盘由铝形成以及所述导电接合由铜形成。

13.一种制造封装半导体器件的方法，包括：

在集成电路器件的外表面上形成导电焊盘；

在所述导电焊盘上形成钝化层；

移除所述导电焊盘上的接合区上的部分钝化层；

在围绕所述接合区的外围的大部分周围形成牺牲阳极，所述牺牲阳极的氧化还原电位高于所述导电焊盘；

在所述接合区内形成导电接合；以及

在所述导电接合和所述牺牲阳极的暴露部分周围形成密封材料。