[发明专利]有机发光二极管面板有效
| 申请号： | 201410164716.5 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105023934B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 郑荣安 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 面板 | ||
1.一种有机发光二极管面板，其包括基板及设置于基板上的多个挡墙，所述挡墙与基板共同围成多个容置结构，该有机发光二极管面板还定义有多个子像素，各子像素之间被所述挡墙隔开且每一子像素对应一容置结构，每一子像素包括发光材料，所述各子像素的发光材料设置于至各子像素对应的容置结构中，其特征在于，至少一个子像素对应的容置结构还包括高度低于所述挡墙的第一隔板，在该至少一个子像素中，发光材料的高度不超过所述第一隔板的高度。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该多个子像素定义多个像素，其中每一像素至少包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素，该第一子像素的发光面积大于该第二子像素的发光面积，该第二子像素的发光面积大于该第三子像素的发光面积，该第一子像素的容置结构内设置有所述高度低于挡墙的第一隔板，第一子像素中的发光材料填充至该第二子像素对应的容置结构的侧壁与该第一隔板之间的空间内。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第一隔板为沿平行于该至少一个子像素的长度方向延伸的长条状结构，该第一隔板在该延伸方向的两端与挡墙相接，且该第一隔板位于该第一子像素对应的容置结构的中间。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第一隔板为沿平行于该至少一个子像素的长度方向延伸的长条状结构，该第一隔板在该延伸方向的两端与挡墙相接，且该第一隔板的一侧靠近该至少一个子像素对应的容置结构的侧壁。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第一隔板为位于该至少一个子像素对应的容置结构中心的正方形结构。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第一隔板包括一沿平行于该至少一个子像素长度方向延伸的第一长条状结构及一与该第一长条状结构交叉且沿平行于该至少一个子像素宽度方向延伸的第二长条状结构。
7.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第二子像素的容置结构内设置有所述高度低于挡墙的第二隔板。
8.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第三子像素的容置结构内设置有所述高度低于挡墙的第三隔板。
9.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：该第一子像素为红色子像素，该第二子像素为绿色子像素，该第三子像素为蓝色子像素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
