[发明专利]一种静电式振动能量收集器及其制作方法

权利要求书

1.一种静电式振动能量收集器，包括电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)，所述的电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)包括从下往上依次设置的衬底(11)、隧穿层(12)、存储层(13)、阻挡层(14)；其特征在于，所述存储层(13)包括交替分布的电荷存储区域(131)和无电荷存储区域(132)；在所述电荷陷阱型非易失性存储器结构(10) 上表面通过支撑结构(21)设置盖板(22)；所述电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)、支撑结构(21)及盖板(22)构成腔体，在所述腔体内设置有可动金属电极(23)，所述可动金属电极(23)能够在所述电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)表面运动，所述腔体内形成与所述电荷存储区域(131)对应的极化区，和与所述无电荷存储区域(132)对应的非极化区。

2.根据权利要求1所述的静电式振动能量收集器，其特征在于：所述衬底(11)为硅衬底，所述隧穿层(12)为二氧化硅，所述存储层(13)为氮化硅，所述阻挡层(14)为氧化铝。

3.根据权利要求1所述的静电式振动能量收集器，其特征在于：所述可动金属电极(23)为圆柱体，直径在30 μm ～ 300 μm。

4.如权利要求1所述的一种静电式振动能量收集器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）选用硅作为衬底(11)，在所述衬底(11)上热生长二氧化硅作为隧穿层(12)；

（2）在所述隧穿层(12)上沉积氮化硅作为存储层(13)，在所述存储层(13)上沉积氧化铝作为阻挡层(14)；

（3）在所述阻挡层(14)上沉积氮化钛并通过光刻工艺形成电极(15)，所述电极(15)呈梳齿状，在电极(15)与衬底(11)之间加电，使存储层中与电极对应位置存储电荷形成电荷存储区域(131)；

（4）过一段时间后停止加电，通过刻蚀去除电极(15)，从而形成电荷陷阱型非易失性存储器结构；

（5）在电荷陷阱型非易失性存储器结构表面旋涂一层SU-8胶并光刻，形成支撑结构(21),可动金属电极(23)置入支撑结构(21)内；

（6）选取硅作为盖板(22)，在支撑结构（21）上平面与电荷陷阱型非易失性存储器结构(10)对准并固定。