[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，提供一半导体结构，所述半导体结构包括一硅衬底和按照从下至上的顺序依次形成于该硅衬底表面的衬垫氧化层、氮化硅层和底部抗反射层；

步骤S2，于所述底部抗反射层的表面涂布光刻胶后，经曝光、显影后，形成具有沟槽图案的光阻；

步骤S3，以所述光阻为掩膜对所述底部抗反射层进行刻蚀后，对该光阻和剩余的底部抗反射层进行线宽修正工艺；

步骤S4，以修正后的光阻和剩余的底部抗反射层为掩膜对所述氮化硅层进行刻蚀后，依次去除所述修正后的光阻和修正后剩余的底部抗反射层；

步骤S5，继续以剩余的氮化硅层为掩膜并采用含有聚合物的刻蚀气体对所述衬垫氧化层进行刻蚀，并于所述剩余的氮化硅层的部分侧壁、剩余的衬垫氧化层的侧壁以及所述硅衬底的部分表面形成一聚合物保护层后，以所述聚合物保护层为掩膜对所述硅衬底进行刻蚀形成浅沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤S6，继续对所述已形成浅沟槽隔离结构的半导体结构进行化学清洗以去除所述聚合物保护层。

3.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述线宽修正工艺具体为采用C_xH_yF_z/HBr/O₂对所述光阻和所述剩余的底部抗反射层进行各向同性刻蚀，且所述线宽修正工艺将所述光阻和所述剩余的底部抗反射层的宽度由线宽修正工艺前的第一线宽尺寸减小到线宽修正工艺后的第二线宽尺寸。

4.如权利要求3所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述根据工艺需求设定所述第二线宽尺寸的值。

5.如权利要求3所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，根据所述第一线宽尺寸的值和所述第二线宽尺寸的值确定进行所述线宽修正工艺的时间。

6.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述聚合物为高分子聚合物。

7.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述刻蚀气体为C_xH_yF_z/HBr的气体组合。

8.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，在55CIS形成浅沟槽隔离的工艺中，所述刻蚀气体为30HBr/100CHF3/26He的气体组合。

9.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，还包括：

通过控制所述含聚合物的刻蚀气体的用量来调节形成的浅沟槽隔离结构的顶端尖角的圆滑化程度。