[发明专利]一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法。

背景技术

随着半导体行业的发展，产品的线宽在不断减小。伴随着线宽的变小缺陷对产品的良率会产生更大的杀伤，而缺陷检测也越来越成为提升半导体良率一项不可或缺的手段。目前，缺陷检测的工作原理是将芯片上的光学图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像，再通过相邻芯片上的数据比较来检测并发现缺陷的位置。

高集成度的半导体芯片包含不同的功能区域以实现不同的运算功能，如(LG，CELL，SRAM and DUMMY等)。LG主要实现逻辑运算功能；CELL和SRAM主要实现运算数据的存储功能；DUMMY主要让机械研磨在芯片的不同区域有良好的研磨率以避免晶圆各向异性。不同区域因为电路图形的不同以及电路结构的差异会对不同偏振的入射光信号产生很大的差异，受现有技术的限制目前的缺陷检测方法多是使用无偏振或者单一偏振信号，偏振光类型包括：纵向偏振光、横向偏振光、螺旋式偏振光等(如图1至图3所示)，芯片上图形越是复杂，图形结构越是多样采用单一偏振光学信号检测缺陷的精确度就越难控制。不同偏振入射光的成像效果也不同。在的实际生产中使用负光阻(负光阻是曝光的位置经聚合硬化，将未曝光的部位溶解得到曝光部位图像的一种显影方法)的站点存在一种光阻(PR)的桥接(bridge)缺陷D，该缺陷形貌示意图如图4所示，栅极B形成于衬底硅C的上表面，栅极B的上表面设置有光阻A，在光阻A形成的图形的间隔之间有一层很薄的残留光阻A没有完全被去除掉(桥接缺陷D)，进而在蚀刻的过程中造成定义图形的桥接缺陷。该类缺陷是严重的光阻类缺陷，实际生产中发现采用与图形方向相垂直的偏振光对其进行扫描捕获这缺陷效果较好，但现有采用单一偏振信号入射光扫描，其扫描过程一般为横向或纵向扫描一行或一列，如图5所示。然后空载回到一行或一列的起始位置再开始下一行或一列的扫描，整个扫描过程只能采用一种偏振类型，这会造成相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷D很难同时被检测到，同时扫描效率降低等问题；从而影响工程师对缺陷严重程度的准确判断，对生产造成影响。

中国专利(CN101447448B)公开了一种蚀刻方法及其在多层堆叠中形成孔的应用，该方法可以最小化接触孔与邻近的导电结构之间的桥接缺陷。衬底具有导电材料层与有源器件设置在其上。蚀刻终止层覆盖在元件与导电材料层上。接着提供层间电介质与抗反射覆盖层。利用图形化的光刻胶，蚀刻一孔穿过电介质层堆叠。利用灰化来去除所有但不去除蚀刻终止层与层间电介质层。沉积隔离衬层在层间电介质层、孔的侧壁表面与蚀刻终止层的暴露上表面。另一蚀刻去除位于蚀刻终止层的暴露上表面的隔离衬层，并去除下方的蚀刻终止层，以暴露出导电材料层的上表面。

该专利提供接触孔及/或过孔开口隔离衬层的工艺，以减低或消除接触孔/过孔开口的横向蚀刻，进而可减低或消除相邻导电电路构件之间的不受欢迎的桥接。但并没有解决因只能采用一种偏振类型进行扫描，导致相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷很难同时被检测到的问题。

中国专利(CN101460951B)公开了集成电路中的桥接缺陷的详尽诊断，在多个测试矢量(30)下测量(40)集成电路(IC)的静态电源电流(IDDQ)。还在所述多个测试矢量(30)下获得IC(20)上的节点的逻辑状态。节点基于它们在低电流测试矢量下的逻辑状态被划分(S3)为组。

该专利基于节点在高电流测试矢量下的逻辑状态，大的组进一步被分为子组(“状态计数子组”)(S5-1)。对于大的组，仅对于属于具有互补状态计数的子组的节点对执行I_DDQ桥故障模型下的明确评价(S5-2，S5-3),以节省系统计算资源。由于系统资源的节省，因此能够实现考虑IC上的所有节点对的详尽诊断。但并没有解决因只能采用一种偏振类型进行扫描，导致相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷很难同时被检测到的问题。

发明内容

本发明为解决现有技术由于只能采用一种偏振类型进行扫描，导致相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷很难同时被检测到的问题，从而提供一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法的技术方案。

本发明所述一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法，包括下述步骤：

步骤1.对负光阻制程芯片进行划分；

步骤2.根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描，并存储扫描区域的缺陷数据；

步骤3.将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构。