[发明专利]一种建立金属-绝缘体-金属电容模型的方法

说明书

本发明涉及一种建立金属‑绝缘体‑金属电容模型的方法，所述方法包括步骤(a)设计金属‑绝缘体‑金属电容测试结构模型；步骤(b)根据所述步骤(a)中的所述测试结构模型建立模型方程式和格式；步骤(c)根据步骤(b)中所述模型方程式和格式抽取模型，以得到金属‑绝缘体‑金属电容模型。本发明中提供了一种新的建立金属‑绝缘体‑金属电容模型的方法，所述方法中选用尺寸可以变的单一模型，在所述模型中包括多个金属层，每个金属层中包括第一梳状结构和第二梳状结构，其中梳齿相互平行交错，所述模型耗费更少的建模时间以及占用更少的测试版图面积，可以进一步降低产品的成本，所述模型能够得到更加自由的使用，提高效率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种建立金属-绝缘体-金属电容模型的方法。

背景技术

对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元。

随着半导体技术的不断发展集成电路以及大型的集成电路得到广泛的应用，组成集成电路的元器件中可以是无源的或者是有源的，当所述元器件为无源器件时成为集成无源器件(integrated passive device，IPD)，IPD提供高精度电容及高性能电感等无源器件的集成，目前在射频上的应用成为新热点。

所述无源器件中包括金属-绝缘层-金属电容，金属-绝缘层-金属电容由于其性能优越，越来越多的应用与IC中，现有技术中所述的金属-绝缘层-金属电容模型由金属构成，但是所述模型仅适用于具体的版图结构。

现有技术中虽然存在少数的金属-绝缘层-金属电容模型，但是所述模型仅使用一种类型的金属层相结合形成一个模型来描述金属-绝缘层-金属电容的性能，例如将第一金属层M1到第六金属层M6相结合形成电容时，需要提供一个模型，将第二金属层M2到第六金属层M6相结合形成另外一个金属电容时，需要提供另外一个模型，客户所提供的模型不能够得到自由充分的利用，而只能使用客户提供的模型，但是随着晶圆尺寸的减小，不可能在晶圆上设置足够的检测结构以提取所有金属-绝缘层-金属电容模型。

因此，需要对现有技术中所述金属-绝缘层-金属电容模型的建立方法作进一步的改进，以便能够消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题，提供了一种建立金属-绝缘体-金属电容模型的方法，包括：

步骤(a)设计金属-绝缘体-金属电容测试结构模型；

步骤(b)根据所述步骤(a)中的所述测试结构模型建立模型方程式和格式；

步骤(c)根据步骤(b)中所述模型方程式和格式抽取模型，以得到金属-绝缘体-金属电容模型。

作为优选，所述步骤(a)包括以下子步骤：

步骤(a-1)选择所述测试结构模型中使用的金属层，所述金属层包括第一类型金属层和第二类型金属层；

步骤(a-2)设定所述金属层的参数；

步骤(a-3)根据所述金属层和所述参数计算得到所述测试结构模型的数目。

作为优选，所述金属层包括若干层，其中每层所述金属层中至少包括相对设置的第一梳状结构和第二梳状结构，所述第一梳状结构的梳齿和所述第二梳状结构的梳齿相互交错并且隔离。