[发明专利]下电极装置以及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种下电极装置，用于电感耦合等离子体加工设备，其特征在于，包括用于承载被加工工件的承载件，所述承载件用于承载多个被加工工件，所述承载件包括基座，多个承载位分别在基座上表面的不同半径所在的圆周上均匀排布，多个被加工工件对应地设置于多个承载位上；所述承载件采用导电材料制作，并且

在所述承载件上表面上形成有凹部，所述凹部采用闭合的环形结构，且以所述承载件上表面的中心为几何中心，所述凹部为多个，对应于同一半径的圆周上被加工工件的底部，分别设置两个所述凹部。

2.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，通过调节所述凹部在承载件上表面上的位置，来调节由该凹部影响的电场区域的位置。

3.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，通过调节所述凹部在承载件上表面上的宽度，来调节由该凹部影响的电场区域的范围。

4.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，通过调节所述凹部的底面相对于承载件上表面的深度，来调节由该凹部影响的电场强度的变化量。

5.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，多个所述凹部相互嵌套。

6.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述下电极装置还包括绝缘部件，所述绝缘部件设置在所述凹部内。

7.根据权利要求6所述的下电极装置，其特征在于，在垂直于所述承载件上表面的截面上，所述绝缘部件的投影形状与所述凹部的投影形状相适配。

8.根据权利要求6所述的下电极装置，其特征在于，所述绝缘部件所采用的材料包括陶瓷或石英。

9.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，在所述承载件上表面上形成有凸部。

10.根据权利要求9所述的下电极装置，其特征在于，通过调节所述凸部在承载件上表面上的位置，来调节由该凸部影响的电场区域的位置。

11.根据权利要求9所述的下电极装置，其特征在于，通过调节所述凸部在承载件上表面上的宽度，来调节由该凸部影响的电场区域的范围。

12.根据权利要求9所述的下电极装置，其特征在于，通过调节所述凸部相对于承载件上表面的高度，来调节由该凸部影响的电场强度的变化量。

13.根据权利要求9所述的下电极装置，其特征在于，所述凸部采用闭合的环形结构，且以所述承载件上表面的中心为几何中心。

14.根据权利要求13所述的下电极装置，其特征在于，所述凸部为一个或多个，且多个所述凸部相互嵌套。

15.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述凹部在垂直于所述承载件上表面的截面上的投影形状为多边形、弧形或者不规则形。

16.根据权利要求15所述的下电极装置，其特征在于，所述凹部在垂直于所述承载件上表面的截面上的投影形状为矩形。

17.根据权利要求9所述的下电极装置，其特征在于，所述凸部在垂直于所述承载件上表面的截面上的投影形状为多边形、弧形或者不规则形。

18.根据权利要求17所述的下电极装置，其特征在于，所述凸部在垂直于所述承载件上表面的截面上的投影形状为矩形。

19.一种等离子体加工设备，包括反应腔室和设置在所述反应腔室内的下电极装置，其特征在于，所述下电极装置采用了权利要求1-18任意一项所述的下电极装置。