[发明专利]一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410163302.0 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097426A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 朱建野;刘轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 湿法 清洗 中的 图形 损坏 缺陷 方法 | ||
1.一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法，包括：
提供待湿法清洗的晶圆；
在清洗所述晶圆的正面之前，先将所述晶圆上的静电从所述晶圆的背面导出。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用带电的清洗液喷洒所述晶圆的背面的方法将所述静电从所述晶圆的背面导出。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，用所述带电的清洗液喷洒所述晶圆的背面的时间为30秒到60秒。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述带电的清洗液的流量为80ml/min-100ml/min。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述带电的清洗液为DHF或SC1溶液。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述静电从所述晶圆的背面导出之后，还包括对所述晶圆的正面进行清洗。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对所述晶圆的正面进行清洗时，将所述带电的清洗液喷洒到所述晶圆的正面的中心。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待湿法清洗的晶圆为干法刻蚀之后的晶圆。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将所述干法刻蚀之后的晶圆上的静电从所述干法刻蚀之后的晶圆的背面导出之前，还包括对所述干法刻蚀之后的晶圆进行电荷释放。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀之后的晶圆的电荷释放工艺在等离子刻蚀设备的腔室中进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
