[发明专利]一种加成型硅胶及其制备方法和用途

说明书

技术领域

本发明涉及能源材料技术领域，尤其涉及一种耐高温、抗黄变的加成型硅胶及其制备方法和用途。 

背景技术

加成型硅胶相比缩合型硅胶在性能上有着不可比拟的优势：力学性能更好、无小分子释放、不会影响粘结材料及其它元器件、收缩率更低，尺寸稳定性更好、电性能更好也更稳定、固化过程及固化后基本无变化。根据折射率的不同，加成型硅胶可以划分为低折硅胶和高折硅胶。高折硅胶因其折射率较高，所以能够有更高的光透过率，以及更好的气密性，使其对一些光电元器件的粘结和灌封有更好的表现。但是因为高折硅胶的结构中含有大量的苯基，使其耐光、耐热性比较差，而且易黄变，限制了其进一步的广泛应用。 

研究表明，抗氧剂的加入，可以提高硅胶的耐黄变性能，但存在以下缺点：(1)大部分的抗氧剂自身耐温较差，一般只适合于100度以下环境使用，而一些光电元器件的工作温度常高于100度，甚至可达180度以上，限制了其应用；(2)大部分抗氧剂同硅胶的相溶性较差，严重影响胶膜固化后的透明性；(3)含磷类的抗氧剂效果较好，相溶性也较好，但会造成催化剂中毒，使胶液固化缓慢，甚至无法固化。所以通过加入抗氧剂来提高加成型高折硅胶的耐温抗黄变性能效果较差，无法满足实际需求。 

通过降低体系的折射率，一般通过减少苯基含量，甚至不含苯基，也可以有效的提高胶的耐热抗黄变性能，但降低折射率会导致胶膜透光率的降低(出光效率变差)，同时也会导致透气率的提高(气密性变差，影响内部元器件的稳定性)，将会大大降低元器件的长期可靠性，所以通过降低折射率来提高胶膜的耐热抗黄变性有较大局限性。 

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处，通过采用具有独特的树枝状结构的PVO及其与催化剂金属Pt形成较稳定的络合物而提供一种具有耐热抗黄变性能的加成型硅胶，解决了高折加成型硅胶耐热差、易黄变的缺点，同时极大的提高了体系的折射率，对改善固化后胶膜的气密性有较大帮助，能够有效提升封装元器件的长期可靠性。本发明的另一目的在于提供一种所述加成型硅胶的制备方法；本发明的再一目的在于提供所述加成型硅胶在电子封装材料中的用途。 

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种加成型硅胶，其特征在于：所述加成型硅胶包括乙烯基硅树脂、含氢交联剂、乙烯基硅油、PVO、增粘剂、铂金催化剂。 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述加成型硅胶各组分的含量如下： 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述乙烯基硅树脂为含苯基的乙烯基硅树脂；优选地，所述乙烯基硅树脂为折射率为1.49～1.58、乙烯基含量为1～7％的苯基乙烯基硅树脂。所述乙烯基硅树脂可以是一种纯净物，也可以是上述低聚物的混合物 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述含氢交联剂为含苯基的交联剂；优选地，所述含氢交联剂为折射率为1.49～1.58、含氢量为0.1～0.4％的苯基含氢交联剂。所述含氢交联剂可以是一种纯净物，也可以是上述低聚物的混合物。 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述乙烯基硅油为苯基乙烯基硅油；优选地，所述乙烯基硅油为折射率为1.49～1.58、乙烯基含量在0.1～2％的苯基乙烯基硅油。所述乙烯基硅油可以是一种纯净物，也可以是上述低聚 物的混合物。 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述PVO为含乙烯基的单体及可选的其他官能团的三官硅氧烷、对二甲苯和二苯硅二醇，在无水、强碱或强酸条件下缩合而成。所述含乙烯基的单体可以为三乙氧基乙烯基硅烷、三甲氧基乙烯基硅烷等中的至少一种；所述其他官能团的三官硅氧烷为可选的成分，即可以含有，也可以不含，所述其他官能团为甲基、环氧基等中的至少一种；所述强碱为氢氧化钡等；所述强酸为阳离子树脂等。具体合成方法在Joon-Soo Kim等发表的Thermally StableTransparent Sol-Gel Based Siloxane Hybrid Material with High Refractive Index for Light Emitting Diode(LED)Encapsulation文章中有详细的介绍，合成路线如下式所示： 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述PVO为折射率为1.53～1.59、乙烯基含量为0.5～7.5％的乙烯基树枝状大分子PVO。所述PVO可以是一种纯净物，也可以是上述低聚物的混合物。 

作为本发明所述加成型硅胶的优选实施方式，所述加成型硅胶中，PVO的含量为8～15重量份。