[发明专利]晶体管的多晶硅发射极制造的方法

权利要求书

1.一种晶体管的多晶硅发射极制造的方法，其特征在于，包括：

在包含有N型集电区、P型基区、第一氧化层、第二氧化层的衬底表面进行光刻、刻蚀，形成发射区窗口，露出与所述发射区窗口宽度相同的P型基区区域；

在所述第一氧化层、第二氧化层的表面和所述发射区窗口中淀积未掺杂的多晶硅，以使所述未掺杂的多晶硅完全覆盖所述发射区窗口区域；

在所述淀积未掺杂的多晶硅后的衬底表面进行光刻、刻蚀，去除所述发射区窗口区域之外区域的未掺杂的多晶硅，保留的未掺杂的多晶硅的宽度大于等于发射区窗口的宽度；

采用离子注入工艺对所述发射区窗口内的未掺杂的多晶硅注入掺杂元素；

对注入掺杂元素后的衬底进行第一热处理，以使所述发射区窗口中的多晶硅中的掺杂元素扩散至所述露出的P型基区区域的表层之中，形成N型扩散区；

所述在所述第一氧化层、第二氧化层的表面和所述发射区窗口中淀积未掺杂的多晶硅之前，还包括：

对露出P型基区区域之后的衬底进行第二热处理，以修复所述P型基区区域的损伤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二热处理为快速热处理，温度为950至1150摄氏度，时间为10至200秒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二热处理为炉管热处理，温度为800至1150摄氏度，时间为10至300分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成N型扩散区之后，还包括：

对形成N型扩散区之后的衬底进行第三热处理，以释放晶圆内的应力。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三热处理的温度为350至700摄氏度，时间为30至300分钟。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三热处理的温度小于所述第一热处理的温度。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一热处理为快速热处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为900至1150摄氏度，时间为10至200秒。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述保留的未掺杂的多晶硅的宽度超出发射区窗口边缘0.1至0.5微米。