[发明专利]一种化学机械研磨的方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有沟槽，在所述层间介电层表面和所述沟槽中形成有铜互连层；

进行第一化学机械研磨，以去除所述层间介电层表面的大部分铜互连层；

进行第二化学机械研磨，以完全去除所述层间介电层表面的铜互连层；

采用含有酸性化学物质的溶液清洗所述半导体衬底的表面，以去除铜残留。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性化学物质包括柠檬酸铵。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二化学机械研磨的抛光速度低于所述第一化学机械研磨的抛光速度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第二化学机械研磨时，还包括进行一定时间的过度抛光处理的步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗与所述第二化学机械研磨在同一研磨垫上进行。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一化学机械研磨与所述第二化学机械研磨在不同的研磨垫上进行。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的时间为2～12s。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述半导体衬底的表面进行清洗的同时还能对研磨垫起到清洗作用。