[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

权利要求书

1.有机发光显示设备，包括：

衬底；

电容器，设置在所述衬底上，所述电容器包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的第一绝缘层、以及设置在所述第二下部电极与所述上部电极之间的第二绝缘层；

薄膜晶体管，包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极设置在与所述第一下部电极相同的层上，所述源电极和所述漏电极设置在与所述上部电极相同的层上；以及

接线，使用与所述第二下部电极相同的材料形成在与所述第二下部电极相同的层上。

2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二下部电极的厚度等于或大于所述栅电极或所述第一下部电极的厚度。

3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一绝缘层包括：

金属氧化物层，包括金属氧化物；以及

保护层，包括绝缘材料。

4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中设置在所述栅电极与所述有源层之间的绝缘层被形成为所述第二绝缘层的一部分。

5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述有源层包括氧化物半导体。

6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二下部电极包括包含Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO的结构。

7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二绝缘层与所述上部电极之间还设置有半导体层。

8.电容器，包括：

第一下部电极；

第二下部电极，所述第二下部电极的厚度等于或大于所述第一下部电极的厚度；

第一绝缘层，使所述第一下部电极与所述第二下部电极绝缘，所述第一绝缘层包括金属氧化物层；

上部电极；以及

第二绝缘层，使所述第二下部电极与所述第一绝缘层绝缘。

9.制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：

第一掩模处理，包括在衬底上形成第一下部电极、第一绝缘层、以及第二下部电极，所述第二下部电极的厚度大于所述第一下部电极的厚度；

第二掩模处理，包括在所述第二下部电极上形成栅极绝缘层和半导体层、以及通过图案化所述半导体层来形成有源层；

第三掩模处理，包括形成暴露所述有源层的边缘的孔、以及形成覆盖所述第二下部电极的蚀刻停止层；以及

第四掩模处理，包括在所述蚀刻停止层上形成上部电极。

10.如权利要求9所述的方法，其中，当在所述第一掩模处理中形成所述第二下部电极时，所述有机发光显示设备的接线也被形成。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述第一绝缘层包括金属氧化物层和包括SiO₂或SiNx的辅助层。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述辅助层使用等离子增强化学气相沉积方法、常压化学气相沉积方法、或低压化学气相沉积方法进行沉积。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述第二下部电极包括具有Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO形式的结构。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述半导体层包括氧化物半导体。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述第一掩模处理包括在与所述第一下部电极相同的层上形成栅电极。

16.如权利要求9所述的方法，其中所述第四掩模处理包括在与所述上部电极相同的层上形成源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极与所述有源层接触。

17.如权利要求16所述的方法，还包括：

第五掩模处理，包括形成覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上部电极的绝缘层，所述绝缘层包括用于暴露所述源电极和所述漏电极之一的通孔；以及

第六掩模处理，包括在所述绝缘层上形成像素电极，其中所述像素电极通过所述通孔连接至所述源电极和所述漏电极。