[发明专利]隔离型三端口双向DC/DC变换器在审

专利信息
申请号: 201410157303.4 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN103904905A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 孙孝峰;周康;李昕 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 石家庄一诚知识产权事务所 13116 代理人: 崔凤英
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 隔离 端口 双向 dc 变换器
【说明书】:

技术领域

发明涉及新型的电力电子接口技术领域,尤其涉及一种隔离型三端口双向DC/DC变换器。

背景技术

随着环境污染和能源危机的日益严重,世界各国采取了提高能源利用率、改善能源结构、探索新能源、发展可再生能源等措施,以实现能源的可持续利用与均衡发展。在各种可再生能源迅速发展的影响下,电源系统正朝着燃料电池、光伏发电、风力发电等新型能源以及蓄电池、超级电容、超导线圈等储能装置综合应用的领域发展。

在传统的配有储能装置的新能源联合供电系统中,每种能源以及储能装置均需通过一个DC/DC变换器变成直流输出,并联在公共的直流母线上,其结构复杂,且成本较高。而多端口双向直流变换器不仅自身具有多输入、多输出,能量双向流动的特点,而且与传统的多个单输入直流变换器相比,具有明显的优势:较少的元器件数量,较高的功率密度,较小的体积以及较低的成本。因此,多端口双向DC/DC变换器更适合于多电源转换系统。

对于多端口双向DC/DC变换器,按照其各端口的连接方式可分为非隔离型,部分隔离型和完全隔离型。非隔离型多端口双向DC/DC变换器各端口的基本拓扑单元通过公共直流母线连接在一起,能量通过公共直流母线进行汇聚和交换,通常采取PWM控制,因此,非隔离型多端口变换器各端口的直流侧电压变化范围受到一定限制,不适用于具有多种电压等级应用场合的多电源系统;部分隔离型多端口双向DC/DC变换器的特点是部分端口共地,这些端口与其他端口电气隔离;完全隔离型的多端口双向DC/DC变换器的每个端口均拥有自己独立的参考地,可以完全摆脱电压等级的束缚,不同的电压可通过相应的匝比相匹配。因此在电压等级相差较大的多输入电源系统中具有更大的优势。另外,由于其结构对称,有利于模块化应用,且可以任意添加模块;通过移相控制可实现两两互传能量。三端口变换器作为多端口变换器的特例成为了本领域的重点研究对象。

通过查阅相关的文献得知:国内外学者所研究的基于移相控制的完全隔离型三端口电路拓扑大部分都是由电压型的基本拓扑单元所合成,比如由三个电压型全桥单元通过一个三绕组变压器耦合而成的三端口电路拓扑,由三个电压型半桥单元通过一个三绕组变压器耦合而成的三端口电路拓扑,由两个电压型半桥单元和一个升压型半桥单元通过一个三绕组变压器耦合成的三端口电路拓扑,由两个升压型半桥单元和一个电压型半桥单元通过一个三绕组变压器耦合成的三端口电路拓扑等。尽管电压型多端口电路拓扑的应用场合比较广,但对于要求端口电流纹波小且电压波动大的应用场合,电压型多端口电路拓扑依然受到了限制。

为了拓展完全隔离型的三端口电路拓扑的合成类型,完善完全隔离型的多端口双向直流变换器在各种新能源混合发电系统以及各种混合储能系统中的应用,本发明引入电流型全桥单元以及电流型半桥单元,提出一种新型的基于移相控制的完全隔离型三端口双向DC/DC变换器。

发明内容

本发明克服了现有技术中的不足,提供一种隔离型三端口双向DC/DC变换器,其目的在于完善完全隔离的多端口双向DC/DC变换器在各种新能源混合发电系统以及各种混合储能系统中的应用,譬如对于超导磁储能来说,电流型拓扑更适用。本发明所提出的三端口双向DC/DC变换器可以结合移相控制策略的优点,实现能量的优化管理。

为了解决上述存在的技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:

一种隔离型三端口双向DC/DC变换器,包括三绕组变压器,所述的三绕组变压器将三个独立绕组套装在同一个磁芯上,取电流型全桥单元或电流型半桥单元与三绕组变压器的一个端口相连,取电压型全桥单元、电压型半桥单元、升压型半桥单元以及串联谐振型全桥单元中的任意两个相同或不同的电压型基本拓扑单元分别与三绕组变压器的另外两个绕组端口相连,构成基于移相控制的三端口双向DC/DC变换器;

所述的电流型全桥单元由两个桥臂对并联组成,每个桥臂对由两个开关器件串联组成,四个开关器件由MOSFET或IGBT串联二极管构成,均单向导通,关断时双向截止,在两个桥臂对中点间并联一个高频电容,桥臂对中点为输出端,并联结点为输入端;

所述的电流型半桥单元由两个桥臂对并联组成,每一桥臂对是由一个电感和一个单向导通关断时双向截止的开关器件构成,每个开关器件由MOSFET或IGBT串联二极管构成,两个桥臂对中点间并联一个高频电容,桥臂对中点为输出端,并联结点为输入端;

所述的电压型全桥单元由两个桥臂对并联组成,每个桥臂对由两个开关串联组成,桥臂对中点为输出端,并联结点为输入端,输入端并联电容Cin1

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学,未经燕山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410157303.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top