[发明专利]一种轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法

权利要求书

1.一种轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：按以下步骤进行：

㈠将芳纶纤维通过展丝、均匀、平行和挺直排列后，用改性胶粘剂进行上胶；

㈡上胶后，50-65℃烘干后得芳纶纤维复合无纬布；

㈢将不同面密度和不同复合层数的芳纶纤维复合无纬布进行组合制成防弹芯片。

2.如权利要求1所述的轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：所述不同面密度的芳纶复合无纬布的面密度为200g/m²、220g/m²或350g/m²；所述多层复合的芳纶复合无纬布的复合层数双层、三层或四层。

3.如权利要求1或2所述的轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：步骤㈠中上胶过程中使用的改性胶粘剂中含有固化剂、消泡剂、白炭黑、阻燃剂、惰性填料以及偶联剂，所述改性胶粘剂按以下步骤进行制备：

a．将固化剂加入胶粘剂水溶液中，并充分搅拌混合，然后加入消泡剂、填料以及阻燃剂进行搅拌混合制得胶粘剂混合液，所述固化剂的加入量为胶粘剂水溶液重量的1.2-1.4%，所述胶粘剂水溶液中胶粘剂与水的重量比为2:5-5:5，所述消泡剂的加入量为胶粘剂水溶液重量的0.3-0.5%，所述填料的加入量为胶粘剂水溶液重量的0.1-0.3%；

b．将白炭黑分散在a步骤制得的胶粘剂混合液中，在分散有白炭黑的胶粘剂混合液中加入偶联剂，搅拌均匀并加热至100-110℃反应5-7小时，制得改性胶粘剂，加入的所述白炭黑与胶粘剂混合液的重量比为1：4-1：6，所述偶联剂的浓度为20-45wt%，所述偶联剂的加入量为白炭黑重量的5-8%；

所述固化剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，所述的消泡剂为乙二醇丁醚和二乙二醇丁醚按2:1比例共混，所述的阻燃剂为复配磷氮类阻燃剂由多聚磷酸铵、三聚氰胺、三聚氰胺尿酸盐、三聚氰胺甲醛树脂、双磷酸季戊四醇酯蜜胺盐、季戊四醇、磷酸三甲酚酯、磷酸三辛酯、磷酸三苯酯、间苯二酚双、次磷酸盐中的一种或几种的任一比例混合；所述的偶联剂为硅烷偶联剂或钛酸脂偶联剂，所述填料为复合稀土，所述复合稀土的组分质量百分比为：La：30-33%，Y：16-18%，Sc：13-15%，Gd：8-10%，Sm：9-11%，Pr：18-20%，以上各组分之和为100%。

4.根据权利要求3所述的轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：所述改性胶粘剂制备的a步骤中所用胶粘剂水溶液为丙烯酸酯类胶粘剂与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物乳液的混合物，并按50:1的比例混合。

5.根据权利要求3所述的轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：改性胶粘剂制备的a步骤中所述固化剂三羟甲基丙烷三丙烯酸酯的活性含量为100%，粘度＜200mpa.s。

6.根据权利要求3所述的轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：改性胶粘剂制备的b步骤中白炭黑在加入胶粘剂混合液前，先用含烯烃双键的单体进行处理，具体处理步骤如下：

⑴将白炭黑分散在水中，分散有白炭黑的水的温度为25-35℃；

所述白炭黑为纳米气相法白炭黑，纯度不小于99%，粒径为10-20nm；

⑵在氮气氛围中，向分散有白炭黑的水中加入引发剂，然后再加入含烯烃双键的单体；所述引发剂的加入量为含烯烃双键的单体重量的1-3%，含烯烃双键的单体的加入量为白炭黑重量的4-7%；

⑶将上述步骤⑵中分散有白炭黑的水加热至温度为45-60℃，静置5-7小时，然后干燥得到聚合物接枝改性的白炭黑。

7.根据权利要求6所述的轻量化的芳纶纤维复合无纬布防弹芯片制备方法，其特征在于：用含烯烃双键的单体对所述的白炭黑进行处理时，所述含烯烃双键的单体为苯乙烯、丁二烯、环氧丙烯酸酯、丙烯酸酯化油、丙烯酸氨基甲酸酯、聚酯丙烯酸酯、乙烯基树脂、丙烯酸树脂、不饱和聚酯中的至少一种混合物；所述引发剂为异丙苯过氧化氢、过氧化甲乙酮、过氧化环己酮、过氧化二异丙苯过氧化甲乙酮、过氧化环己酮、过氧化二异丙苯中的至少一种混合物。