[发明专利]非制冷红外焦平面阵列读出电路

权利要求书

1.一种非制冷红外焦平面阵列读出电路，其特征在于，包括：

探测电路（10），所述探测电路（10）探测参考微测辐射热计单元（R_b1）上产生的信号，获得参比信号，并且探测微测辐射热计单元（R_s）上产生的信号，获得探测信号；

减法电路（20），所述减法电路（20）连接到所述探测电路（10）上，从所述探测电路（10）接收所述参比信号和所述探测信号，并将所述参比信号和所述探测信号作差，获得差信号；

积分电路（30），所述积分电路（30）连接到所述减法电路（20）上，从所述减法电路（20）接收所述差信号，并对所述差信号积分，获得输出信号。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述探测电路（10）包括：

参比支路，所述参比支路连接到所述参考微测辐射热计单元（R_b1）上，用于探测所述参考微测辐射热计单元（R_b1）上产生的信号以获得所述参比信号；

探测支路，所述探测支路连接到所述微测辐射热计单元（R_s）上，用于探测所述微测辐射热计单元（R_s）上产生的信号以获得所述探测信号；

恒流偏置支路，所述恒流偏置支路连接到所述参比支路和所述探测支路上，用于为所述参比支路提供第一偏置电流和为所述探测支路提供第二偏置电流。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于：

所述恒流偏置支路包括第一MOS管（PM1）和恒流源（I₁），所述第一MOS管（PM1）的源极连接到系统电源（VDD），所述第一MOS管（PM1）的漏极连接到所述恒流源（I₁）和所述第一MOS管（PM1）的栅极；

所述参比支路包括第二MOS管（PM2），所述第二MOS管（PM2）的源极连接到系统电源（VDD），所述第二MOS管（PM2）的漏极连接到所述参考微测辐射热计单元并且连接到所述探测电路的第一输出端（A）；

所述探测支路包括第三MOS管（PM3），所述第三MOS管（PM3）的源极连接到系统电源（VDD），所述第三MOS管（PM3）的漏极连接到所述微测辐射热计单元并且连接到所述探测电路的第二输出端（B）。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于：所述第二MOS管（PM2）的漏极与所述探测电路的第一输出端（A）之间还设有第一缓冲电路和/或所述第三MOS管（PM3）的漏极与所述探测电路的第二输出端（B）之间还设有第二缓冲电路。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于：所述第一缓冲电路包括第一运算放大器（101），所述第一运算放大器（101）的同相输入端连接到所述第二MOS管（PM2）的漏极，所述第一运算放大器（101）的反相输入端连接到所述第一运算放大器（101）的输出端并且连接到所述探测电路的第一输出端（A）。

6.如权利要求4所述的电路，其特征在于：所述第二缓冲电路包括第二运算放大器（102），所述第二运算放大器（102）的同相输入端连接到所述第三MOS管（PM3）的漏极，所述第二运算放大器（102）的反相输入端连接到所述第二运算放大器（102）的输出端并且连接到所述探测电路的第二输出端（B）。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的电路，其特征在于：所述减法电路包括第三运算放大器（201）、第一电阻（R₁）、第二电阻（R₂）、第三电阻（R₃）和第四电阻（R_f），其中：

所述第三运算放大器（201）的反相输入端通过所述第一电阻（R₁）连接到所述探测电路用于接收所述参比信号，并且通过所述第四电阻（R_f）连接到所述第三运算放大器（201）的输出端（C）；

所述第三运算放大器（201）的同相输入端通过所述第二电阻（R₂）连接到所述探测电路（10）用于接收所述探测信号，并且通过所述第三电阻（R₃）连接到第一参考电压输入端（V_ref1）。