[发明专利]用于衬底分离的裂纹控制

权利要求书

1.一种分离用于转移的层的方法，包括：

在衬底上形成裂纹引导层；

在形成所述裂纹引导层之后，在所述裂纹引导层上形成器件层；

通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层；

在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/或所述界面引发裂纹；以及

通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述裂纹引导层包含AlAs，并且所述器件层包含III-V材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，弱化所述裂纹引导层包括将所述裂纹引导层暴露于氧气或者包含氧的化合物。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在周边的暴露部分处蚀刻所述裂纹引导层以预形成所述裂纹。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述应力诱导层包括沉积Ni、W、Co和SiGe中的一种。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述裂纹引导层之前在所述衬底上形成保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括向所述器件层施加保持衬底以实现用于转移所述器件层的输运。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括重新利用所述衬底进行另外的处理。

9.一种分离用于转移的层的方法，包括：

在单晶体衬底上形成裂纹引导层；

在形成所述裂纹引导层之后，在所述裂纹引导层上形成器件层，所述器件层包含晶体III-V材料；

在周边的暴露部分处蚀刻所述裂纹引导层以形成凹陷裂纹，所述凹陷裂纹有助于裂纹形成；

通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层；

在所述器件层上形成应力诱导层以进一步帮助通过所述裂纹引导层和/或所述界面引发裂纹；以及

通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述裂纹引导层包含AlAs。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，弱化所述裂纹引导层包括将所述裂纹引导层暴露于氧气或者包含氧的化合物。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述应力诱导层包括沉积Ni、W、Co和SiGe中的一种。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括在形成所述裂纹引导层之前在所述衬底上形成保护层。

14.根据权利要求9所述的方法，还包括向所述器件层施加保持衬底以实现用于转移所述器件层的输运。

15.根据权利要求9所述的方法，还包括重新利用所述衬底进行另外的处理。

16.一种分离用于转移的层的方法，包括：

在单晶体衬底上生长裂纹引导层，所述裂纹引导层包含AlAs；

在形成所述裂纹引导层之后，在所述裂纹引导层上形成器件层；

在周边的暴露部分处蚀刻所述裂纹引导层以形成凹陷裂纹，所述凹陷裂纹有助于裂纹形成；

通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的氧化剂，弱化所述裂纹引导层；

在所述器件层上形成应力诱导层以进一步帮助通过所述裂纹引导层和/或所述界面引发裂纹；以及

通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述应力诱导层包括沉积Ni、W、Co和SiGe中的一种。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括在形成所述裂纹引导层之前在所述衬底上形成保护层。

19.根据权利要求16所述的方法，还包括向所述器件层施加保持衬底以实现用于转移所述器件层的输运。

20.根据权利要求16所述的方法，还包括重新利用所述衬底以进行另外的处理。