[发明专利]晶片校准装置以及半导体加工设备在审
| 申请号: | 201410154937.4 | 申请日: | 2014-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN105097601A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
| 发明(设计)人: | 李靖 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 校准 装置 以及 半导体 加工 设备 | ||
1.一种晶片校准装置,包括真空腔室、承载件、旋转机构、光源以及光线接收处理装置,其中,所述承载件设置在所述真空腔室内,且包括用于承载晶片的承载面;所述旋转机构用于驱动所述承载件旋转;所述光源设置在所述承载件上方,用以朝向所述承载面的边缘处发射光线;所述光线接收处理装置包括光线接收组件,用于接收所述光线,且将该光线转换为电信号并发送出去;其特征在于,
所述光线接收组件设置在所述真空腔室内所述承载面的下方,且位于紧靠所述承载面的位置处。
2.根据权利要求1所述的晶片校准装置,其特征在于,所述光源位于所述真空腔室内紧靠所述承载面的位置处,并且
所述光源相对于所述承载面的高度高于放片高度;所述放片高度为预设的在机械手将晶片传输至所述真空腔室内的所述承载面上方时,所述晶片相对于所述承载面的高度。
3.根据权利要求2所述的晶片校准装置,其特征在于,所述光源相对于所述承载面的高度不小于所述放片高度的0.5倍。
4.根据权利要求1所述的晶片校准装置,其特征在于,所述光线接收处理装置还包括处理单元,所述处理单元用于接收由所述光线接收组件发送而来的电信号,并根据所述电信号进行数据处理和计算,以获得所述晶片相对于所述承载面的位置偏差。
5.根据权利要求4所述的晶片校准装置,其特征在于,所述处理单元设置在所述真空腔室的外部。
6.根据权利要求1所述的晶片校准装置,其特征在于,所述光线接收组件与所述承载面之间的竖直间距为2~10mm。
7.根据权利要求6所述的晶片校准装置,其特征在于,所述光线接收组件与所述承载面之间的竖直间距为3mm。
8.根据权利要求1所述的晶片校准装置,其特征在于,所述光线接收组件包括透镜、光学组件和CCD传感器,其中
所述透镜用于将来自所述光源的光线转换为朝向所述光线组件照射的平行光;
所述光线组件用于滤除所述平行光中的杂光;
所述CCD传感器用于将滤除杂光后的光线转换为电信号,并将其发送出去。
9.一种半导体加工设备,其包括晶片校准装置,用于检测所述晶片的位置偏差,其特征在于,所述晶片校准装置采用权利要求1-8任意一项所述的晶片校准装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





