[发明专利]一种超细间距微凸点的制备方法有效
| 申请号： | 201410153971.X | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103915357A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 间距 微凸点 制备 方法 | ||
1.一种超细间距微凸点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）先在晶圆上沉积一层一定厚度的电解质层，涂光刻胶，然后进行掩膜光刻，刻蚀出贯穿所述电解质层的孔；
（2）在晶圆表面和所述孔内沉积一层金属种子层；
（3）在晶圆表面和所述孔内填充一层UBM金属，以及一层低熔点金属，且应确保在后续的CMP工艺后，所述孔内金属表面无凹陷；
（4）对晶圆表面的金属进行CMP，将孔之外的金属去除，直至相邻孔内填充的金属被电解质材料隔离；
（5）对孔内金属的头部周围的电解质材料进行刻蚀，使得金属的头部端面高于周围的电解质面，形成低熔点金属被UBM金属包裹的微凸点。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第3步骤中的低熔点金属的Tm不超过250℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述低熔点金属的厚度为0.5~3μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第3步骤中，在沉积一层低熔点金属之前先在UBM金属层上沉积一层金属阻挡层，以防止低熔点金属和UBM金属之间反应过快，形成大量金属间化合物。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所述金属阻挡层的厚度为0.3~0.8μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的电解质层为氧化硅、碳化硅、氮化硅或氮氧化硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤2中所述的金属种子层可以为铜或钨。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：当金属种子层为钨，且填充的金属也为钨时，在所述孔内沉积钨种子层与填充金属钨的步骤合并为一步。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：在步骤2中，在沉积的金属种子层为铜时，可以先在晶圆表面和孔的底部和侧壁沉积一层阻挡层，所述的阻挡层为Ti、Ta或TaN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
