[发明专利]硬掩模表面处理

权利要求书

1.一种处理硬掩模层表面的方法，所述硬掩模层包括具有(-M-O-)_n键的无机域，其中M为第3族至第14族的金属，且n＞1，所述方法包括：将硬掩模层的表面与表面处理组合物接触，以涂布硬掩模层的表面，其中所述表面处理组合物包括有机溶剂和含一个或多个表面处理基团的表面处理剂，所述硬掩模层的表面在与表面处理组合物接触前具有第一水接触角，而在接触后具有第二水接触角，其中第二水接触角大于第一水接触角。

2.权利要求1的方法，其中M选自钛、锆、铪、钨、钽、钼和铝。

3.权利要求1的方法，其中所述方法进一步包括加热涂布的硬掩模层的表面的步骤。

4.权利要求3的方法，其中，在加热之后硬掩模层的表面的水接触角为60-70°。

5.权利要求3的方法，进一步包括加热步骤以后的冲洗步骤。

6.权利要求1的方法，其中所述表面处理剂是聚合的，且包括：含一个或多个表面处理基团的侧基，含一个或多个表面处理基团的末端基，或含一个或多个表面处理基团的聚合物主链中一个或多个。

7.权利要求1的方法，其中所述一个或多个表面处理基团为选自羟基、巯基、羧基、β二酮基、被保护的羧基和被保护的羟基的基团。

8.权利要求1的方法，其中所述表面处理剂是聚合的，且包括作为聚合单元的一个或多个单体，所述单体选自(甲基)丙烯酸、羟基取代的(甲基)丙烯酸酯、包含直接与酯基中的烷氧原子相连的季碳的(甲基)丙烯酸酯和羟基苯乙烯单体。

9.权利要求1的方法，其中所述硬掩模层设置在电子设备基体上。

10.设置在电子设备基体上的硬掩模层，所述硬掩模层包括：具有(-M-O-)_n键的主要无机域，其中M为第3族至第14族金属，且n＞1，且硬掩模层表面的水接触角≥60°。

11.一种形成图案化硬掩模层的方法，所述方法包括：提供具有含氧金属硬掩模层的基体；在硬掩模层的表面涂覆表面处理组合物，所述表面处理组合物包括有机溶剂和含表面处理基团的表面处理剂，所述表面处理基团选自被保护的羟基和被保护的羧基；使表面处理组合物经受如下条件，所述条件足以形成具有图案的含氧金属硬掩模层，该图案为具有较低表面能的第一区域和较高表面能的第二区域，所述硬掩模层包括具有(-M-O-)_n键的无机域，其中M为第3族至第14族的金属，且n＞1。