[发明专利]双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管

权利要求书

1.一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N⁺型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N⁺型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N⁺型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有P型的基区，基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P⁺型的槽形栅区，槽形栅区中的每条槽的底面和侧面都覆盖着绝缘层，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：

所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层，N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率；

所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的电阻率为2-9Ω·cm；

所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的厚度为13-40μm。

2.如权利要求1所述的双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：

所述两个相邻的槽形栅区互相交叠。

3.如权利要求1所述的双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：

所述每条槽的侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面。

4.如权利要求1所述的双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：

所述每条槽的侧面绝缘层的顶部在槽内。