[发明专利]构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器及包络检波器

权利要求书

1.构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器，包括包络检波器（4）、纹波噪声滤波器（5）、有源低通滤波器(6)、迟滞比较器(7)；其特征在于：包络检波器(4)的输入端连接射频信号输入端（RF_IN）；包络检波器(4)的输出端连接纹波噪声滤波器(5)的输入端和有源低通滤波器(6)的输入端；所述包络检波器（4）检出射频信号的包络信号，输出到纹波噪声滤波器（5）和有源低通滤波器(6)；

所述纹波噪声滤波器（5）的输出端连接迟滞比较器（7）的正端输入；所述纹波噪声滤波器（5）将收到的包络信号进行滤除高频噪声及纹波后输出到迟滞比较器（7）；

所述有源低通滤波器（6）的输出端连接迟滞比较器（7）的负端输入；所述有源低通滤波器（6）将收到的包络信号进行滤波后取出直流参考电压输出到迟滞比较器（7）；

所述迟滞比较器（7）将所述纹波噪声滤波器（5）输出的包络信号与有源低通滤波器（6）输出的直流参考电压比较，然后以CMOS电平形式输出。

2.根据权利要求1所述的构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器，其特征在于：所述包络检波器（4）包括n级全波整流器和低通滤波器（11）；第一级全波整流器的第一输入端连接射频信号输入端（RF_IN），第二输入端接地，输出端连接第二级全波整流器的第二输入端，第二级全波整流器的输出端连接第三级全波整流器的第二输入端，依次类推，第n-1级全波整流器的输出端连接第n级全波整流器的第二输入端,第n级全波整流器的输出端连接低通滤波器（11）,第二级至第n-1级、第n级全波整流器的第一输入端均连接射频信号输入端（RF_IN）。

3.根据权利要求2所述的构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器，其特征在于：所述全波整流器包括隔直电容，滤波电容，第一、第二肖特基二极管；隔直电容的一端接射频信号输入端（RF_IN），滤波电容连接在第二肖特基二极管的负极与地之间，第一肖特基二极管的负极与第二肖特基二极管的正极连接，第一、第二肖特基二极管的连接节点与隔直电容的另一端连接，第一级全波整流器中的第一肖特基二极管的正极接地，第二级全波整流器中的第一肖特基二极管的正极连接第一级全波整流器中的第二肖特基二极管的负极，依次类推，第n级全波整流器中的第一肖特基二极管的正极连接第n-1级全波整流器中的第二肖特基二极管的负极，第n级全波整流器中的第二肖特基二极管的负极接低通滤波器（11）。

4.根据权利要求1、2或3所述的构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器，其特征在于：纹波噪声滤波器（5）由一阶RC滤波器构成。

5.根据权利要求4所述的构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器，其特征在于：有源低通滤波器（6）由闭环运放构成。

6.根据权利要求5所述的构成RFID电子标签的微功耗高灵敏度解调器，其特征在于：迟滞比较器（7）由两级运放构成。

7.构成RFID电子标签解调器的包络检波器，其特征在于：所述包络检波器（4）包括n级全波整流器和低通滤波器（11）；第一级全波整流器的第一输入端连接射频信号输入端（RF_IN），第二输入端接地，输出端连接第二级全波整流器的第二输入端，第二级全波整流器的输出端连接第三级全波整流器的第二输入端，依次类推，第n-1级全波整流器的输出端连接第n级全波整流器的第二输入端,第n级全波整流器的输出端连接低通滤波器（11）,第二级至第n-1级、第n级全波整流器的第一输入端均连接射频信号输入端（RF_IN）。

8.根据权利要求7所述的构成RFID电子标签解调器的包络检波器，其特征在于：所述全波整流器包括隔直电容，滤波电容，第一、第二肖特基二极管；隔直电容的一端接射频信号输入端（RF_IN），滤波电容连接在第二肖特基二极管的负极与地之间，第一肖特基二极管的负极与第二肖特基二极管的正极连接，第一、第二肖特基二极管的连接节点与隔直电容的另一端连接，第一级全波整流器中的第一肖特基二极管的正极接地，第二级全波整流器中的第一肖特基二极管的正极连接第一级全波整流器中的第二肖特基二极管的负极，依次类推，第n级全波整流器中的第一肖特基二极管的正极连接第n-1级全波整流器中的第二肖特基二极管的负极，第n级全波整流器中的第二肖特基二极管的负极接低通滤波器（11）。