[发明专利]NOR型闪存存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种NOR型闪存存储器，包括：第一存储单元，设置在一基底上，该第一存储单元包括：

堆叠栅极结构，设置在该基底上；

辅助栅极，设置在该堆叠栅极结构的一第一侧的该基底上；

辅助栅极介电层，设置在该辅助栅极与该基底之间；

淡掺杂区，仅设置在两个堆叠栅极结构之间的辅助栅极下方的该基底中，其中通过在该辅助栅极施加一电压而在该辅助栅极下方的基底中形成一反转层以作为一源极区，其中，在辅助栅极下方的基底中不具有元件隔离结构，且淡掺杂区是连续的条状；以及

漏极区，设置在该堆叠栅极结构的一第二侧的该基底中，该第一侧与该第二侧相对。

2.如权利要求1所述的NOR型闪存存储器，还包括第二存储单元，其与该第一存储单元呈镜像配置，共用该辅助栅极或该漏极区。

3.如权利要求1所述的NOR型闪存存储器，其中该堆叠栅极结构至少包括：

浮置栅极，设置在该基底上；

隧道介电层，设置在该浮置栅极与该基底之间；

控制栅极，设置在该浮置栅极上；以及

栅间介电层，设置在该控制栅极与该浮置栅极之间。

4.如权利要求1所述的NOR型闪存存储器，还包括一间隙壁，设置在该堆叠栅极结构的侧壁。

5.如权利要求3所述的NOR型闪存存储器，其中该浮置栅极的材质包括掺杂多晶硅。

6.如权利要求3所述的NOR型闪存存储器，其中该隧道介电层的材质包括氧化硅。

7.如权利要求3所述的NOR型闪存存储器，其中该栅间介电层的材质包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

8.一种NOR型闪存存储器的制造方法，包括：

在一基底中形成一元件隔离结构；

在该基底上形成至少二堆叠栅极结构；

在该二堆叠栅极结构外侧的该基底中形成一漏极区；

移除该二堆叠栅极结构之间的该元件隔离结构；

在该二堆叠栅极结构之间的该基底中形成一淡掺杂区，使得所述淡掺杂区仅设置在该二堆叠栅极结构之间；

在该二堆叠栅极结构之间的该基底上形成一辅助栅极介电层；以及

在该二堆叠栅极结构之间的该基底上形成一辅助栅极，并且通过在该辅助栅极施加一电压而在该辅助栅极下方的基底中形成一反转层以作为一源极区，其中，所述淡掺杂区设置在该辅助栅极的下方，在辅助栅极下方的基底中不具有元件隔离结构，并且淡掺杂区是连续的条状。

9.如权利要求8所述的NOR型闪存存储器的制造方法，其中在该二堆叠栅极结构外侧的该基底中形成该漏极区的步骤包括:

在该基底上形成一第一掩模层，以覆盖该二堆叠栅极结构之间的该基底；

以该第一掩模层及该二堆叠栅极结构为掩模，进行掺杂注入而形成该漏极区；以及

移除该第一掩模层。

10.如权利要求8所述的NOR型闪存存储器的制造方法，其中还包括在该二堆叠栅极结构的侧壁形成一间隙壁。

11.如权利要求10所述的NOR型闪存存储器的制造方法，其中在该二堆叠栅极结构的外侧的该基底中形成该漏极区的步骤包括:

在该基底上形成一第一掩模层，以覆盖该二堆叠栅极结构之间的该基底；

以该第一掩模层及该二堆叠栅极结构为掩模，进行掺杂注入而形成一淡掺杂漏极区；

移除该第一掩模层；

在该二堆叠栅极结构的侧壁形成该间隙壁；

在该基底上形成一第二掩模层，以覆盖该二堆叠栅极结构之间的该基底；

以该第二掩模层及具有该间隙壁的该二堆叠栅极结构为掩模，进行掺杂注入而形成一掺杂区；以及

移除该第二掩模层。