[发明专利]Co球Nb膜异质结构超导材料及其制备方法无效
| 申请号: | 201410150217.0 | 申请日: | 2014-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN103915215A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
| 发明(设计)人: | 李志刚;陈卫平;李艳萍;王天乐 | 申请(专利权)人: | 李志刚;台州学院 |
| 主分类号: | H01B12/00 | 分类号: | H01B12/00;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司: | 台州市南方商标专利事务所(普通合伙) 33225 | 代理人: | 白家驹 |
| 地址: | 318000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | co nb 膜异质 结构 超导 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Co球Nb膜异质结构超导材料,其特征在于:包括衬底、Nb膜、Co空心球阵列膜,Nb膜位于衬底之上,Co空心球阵列膜覆盖于Nb膜之上;所述Co空心球阵列膜由多个Co空心球单层紧密排列为六角蜂巢形阵列。
2.根据权利要求1所述的Co球Nb膜异质结构超导材料,其特征在于:所述衬底为高阻硅衬底;所述Nb膜的厚度为70~200nm;所述Co空心球的直径为500~2000nm,壁厚为20~100 nm。
3.根据权利要求1或2所述的Co球Nb膜异质结构超导材料,其特征在于:所述Co空心球设有开孔,相邻Co空心球的孔间相互连通。
4.一种权利要求1所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步、对衬底进行清洗;
第二步、合成Nb膜;
将衬底放入真空磁控溅射镀膜机中;将Nb靶放置于磁控溅射靶位,抽真空,进行溅射镀膜,合成Nb膜;
第三步、在镀有Nb膜的衬底上合成胶体晶体模板;
采用气-液界面合成法,使胶体球附于衬底表面,形成胶体晶体模板;
第四步、合成Co空心球阵列膜;
步骤一、磁控溅射Co膜;
将第三步合成的带有胶体晶体模板的衬底置于真空磁控溅射镀膜机中,将Co靶材放置于磁控溅射靶位;抽真空,进行溅射镀膜;
步骤二、去除胶体晶体模板;
将步骤一所合成的样品浸入到二氯甲烷中,使胶体球溶于二氯甲烷,除去胶体球后,得到Co球Nb膜异质结构超导材料。
5.根据权利要求4所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,所述第一步的清洗方法为:
工序一、将衬底置于丙酮中超声清洗40分钟,然后用去离子水清洗多次;
工序二、将衬底置于无水乙醇中超声清洗40分钟,然后用去离子水清洗多次;
工序三、将衬底置于蒸馏水中超声清洗30分钟后,置于无水乙醇中待用;待用的时间不大于1个月。
6.根据权利要求4所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,所述第二步中溅射镀膜的溅射功率为70瓦,预溅射时间为5000~9000秒,溅射沉积时间为1500~5000秒;所述第四步中溅射镀膜的溅射功率为50瓦,预溅射时间100秒,溅射时间1000~3000秒。
7.根据权利要求4所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,所述Nb靶纯度为99.999%;所述Co靶材的纯度为99.999%。
8.根据权利要求4所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,所述第三步合成胶体晶体模板的具体方法为:
首先,将胶体球溶液与无水乙醇和去离子水混合,形成混合溶液,再将混合溶液注入到注射器中;
然后,取一带有Nb膜的衬底,衬底上除一角落外,全部铺上一层去离子水;
随后,将注射器在衬底上没有去离子水的一端开始逐步推进,当混合溶液与去离子水的边缘相接触时,混合溶液在衬底边缘与去离子水发生界面作用,在表面张力的作用下,胶体球浮于液体表面,形成规则的纳米结构膜;
最后,将多余的去离子水吸走,从而在衬底上形成规则的胶体晶体模板。
9.根据权利要求8所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,所述胶体球溶液与无水乙醇和去离子水的体积比为:
对于直径为2微米的胶体球,胶体球溶液:无水乙醇为1:1;
对于直径为1微米的胶体球,胶体球溶液:去离子水:无水乙醇为1:1:2;
对于直径为500nm的胶体球,胶体球溶液:去离子水:无水乙醇为1:3:4。
10.根据权利要求8所述的Co球Nb膜异质结构超导材料的制备方法,其特征在于,所述胶体球溶液是质量比10%的聚苯乙烯胶体晶体溶液;所述胶体球是直径为500~2000纳米的聚苯乙烯胶体球。
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