[发明专利]一种微电流检测电路有效

专利信息
申请号: 201410150198.1 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN103901253A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 周泽坤;张瑜;董渊;石跃;明鑫;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 检测 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子电路技术领域,具体的说是涉及一种高速微电流检测电路。

背景技术

在高速光纤通信中,光电二极管接收到光后产生微弱电流信号,前级电路将其转化为电压信号并进行放大输出。前级的微电流检测电路的性能对其有着至关重要的影响。其核心是通过跨阻放大器检测光电管产生的微小电流,将其转换为电压信号放大输出。跨阻放大器是前级检测电路的关键结构,为避免信号受后级噪声的影响而增加误码率,通常前级放大器需要较高的增益。另一方面,微电流检测电路需要较高的响应速度,因此需要合适的带宽性能。而传统的微电流检测器中,由于光电二极管寄生电容大,不能隔离输入电容,因此存在增益和带宽不够大的问题。

发明内容

本发明所要解决的,就是针对上述的传统微电流检测器存在的问题,提出一种高增益,高带宽,低功耗的高速微电流检测电路。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种微电流检测电路,如图1所示,包括依次连接的光电二极管、跨阻放大器、电平移位电路、差动放大器、比较器和缓冲器;

如图2所示,所述跨阻放大器由电阻R1、R2、R3、R4和NMOS管M1、M2构成;M1的漏极通过R1接电源VDD,其栅极依次通过R3、R4接地VSS,其源极接地VSS;M2的栅极接M1的漏极,其漏极通过R2接电源VDD,其源极通过R4接地VSS;

所述光电二极管的负极接电源VDD,其正极接M1的栅极;

所述电平移位电路由PMOS管M3、M4、M5、M6、M8、M9和NMOS管M7、M10构成;M3、M4、M5和M6的源极接电源VDD,M3、M4、M5和M6的栅极互连,M3的栅极和漏极互连,M3的漏极接M7的漏极;M7的源极接地VSS,其栅极接M1和M9的栅极;M4的漏极接M8的源极;M8的栅极接M2的源极,其漏极接地VSS;M5的漏极接M9的源极;M9的漏极接地VSS;M6的漏极接M10的漏极和栅极,M10的源极接地VSS;

所述差动放大器由依次连接的第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器构成,其中第一级放大器由电阻R5、R6和NMOS管M11、M12、M13构成;M12的漏极通过R5接电源VDD,其栅极接M5的漏极和M9的源极;M13的漏极通过R6接电源VDD,其栅极接M4的漏极和M8的源极;M12和M13的源极共同接M11的漏极;M11的栅极接M10的栅极,其源极接地VSS;

第二级放大器由电阻R7、R8和NMOS管M14、M15、M16构成;M15的漏极通过R7接电源VDD,其栅极接M12的漏极;M16漏极通过R8接电源VDD,其栅极接M8的源极;M15和M16的源极共同接M14的漏极;M14的栅极接M10和M11的栅极,其源极接地VSS;

第三级放大器由电阻R9、R10和NMOS管M17、M18、M19构成;M18的漏极通过R9接电源VDD,其栅极接M15的漏极;M19的漏极通过R10接电源VDD,其栅极接M16的漏极;M18和M19的源极共同接M17的漏极;M17的栅极接M14、M10和M11的栅极,其源极接地VSS;

比较器的正向输入端接M18的漏极、反向输入端接M19的漏极、输出端接缓冲器。

本发明的有益效果为,可以将延迟时间降低至10ns之内,同时能够有效避免由于扰动对参考电路与探测电路影响的不同,导致电路误触发,还能对电压信号整形,使速率进一步得到提高并且提高对负载的驱动能力。

附图说明

图1是本发明的微电流监测电路的逻辑结构示意框图;

图2是本发明的微电流监测电路的电路结构示意图;

图3是前级跨阻放大器的小信号等效原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,详细描述本发明的技术方案:

如图1所示,本发明的微电流检测电路,包括依次连接的光电二极管、跨阻放大器、电平移位电路、差动放大器、比较器和缓冲器。

如图2所示,所述跨阻放大器由电阻R1、R2、R3、R4和NMOS管M1、M2构成;M1的漏极通过R1接电源VDD,其栅极依次通过R3、R4接地VSS,其源极接地VSS;M2的栅极接M1的漏极,其漏极通过R2接电源VDD,其源极通过R4接地VSS;

所述光电二极管的负极接电源VDD,其正极接M1的栅极;

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