[发明专利]利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法有效
申请号: | 201410149990.5 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN103985783A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 许佳雄;曹中明;杨元政;谢致薇;陈先朝;何玉定 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 磁控溅射 柔性 衬底 制备 铜锌锡硫 薄膜 方法 | ||
1.利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法,其特征在于:在柔性衬底材料上先磁控溅射金属Cu-Zn-Sn前驱体,再进行硫化处理的方法制备铜锌锡硫薄膜,具体步骤如下:
(1)选用金属Cu、Zn和Sn靶作为溅射靶材;
(2)对柔性衬底材料进行清洗;
(3)利用磁控溅射方法,在柔性衬底上沉积金属Cu-Zn-Sn金属叠层作为铜锌锡硫薄膜的前驱体;
(4)在含硫气氛中对Cu-Zn-Sn前驱体进行硫化处理,得到柔性衬底铜锌锡硫薄膜。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(2)中的柔性衬底材料采用高分子聚合物或金属箔片;其中高分子聚合物是聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯;金属箔片是不锈钢片、钛箔、钼箔或铝箔;用丙酮、乙醇和去离子水对柔性衬底材料进行超声清洗,再用干燥N2吹干。
3. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(3)中的磁控溅射法采用直流磁控溅射法和射频磁控溅射法进行金属靶材的溅射;将清洗过的柔性衬底材料装入磁控溅射真空室,先将真空室抽真空至本底真空度4×10-4Pa,再通入高纯Ar作为工作气体,Ar流量为20ml/min,工作气压为0.5Pa;先对Cu靶、Zn靶和Sn靶分别进行5分钟的预溅射,以清除靶材表面的杂质;然后进行正式的溅射镀膜,先直流溅射Zn,再射频溅射Sn,最后直流溅射Cu;Zn、Sn、Cu的溅射时间分别为92秒、2173秒、221秒,溅射功率分别为50W、50W、40W,实现在柔性衬底上沉积Cu-Zn-Sn金属叠层作为铜锌锡硫薄膜的前驱体。
4. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤(4)中,对Cu-Zn-Sn前驱体进行硫化处理,硫化源材料为纯度99.95%的固态硫粉,硫化温度为400~550°C,硫化时间为20分钟,硫化过程中通入N2作为保护气体,硫化结束后样品随炉冷却。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学,未经广东工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410149990.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的