[发明专利]基于磁电阻技术的磁头

权利要求书

1.基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：其包括至少一个或多个磁场感应方向相同的传感单元以及输出引针；

所述传感单元用以检测磁性介质的漏磁场；

所述输出引针的输入端和输出端分别与所述传感器的相应端口电连接，用以将传感器与系统连接；

所述传感单元的敏感元件为巨磁电阻元件或磁性隧道结元件，所述巨磁电阻元件和磁性隧道结元件为纳米级厚度的多层膜结构，所述纳米级多层膜结构至少包含自由层、非磁性层以及钉扎层三层纳米级薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述传感单元为单电阻、半桥或全桥结构。

3.根据权利要求2所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述半桥为推挽半桥、参考半桥或梯度半桥，所述全桥为推挽全桥、参考全桥或梯度全桥。

4.根据权利要求2或3所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述半桥、全桥的每个桥臂由一个或多个磁场敏感方向相同的巨磁电阻元件或磁性隧道结元件组成。

5.根据权利要求3所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述梯度全桥和梯度半桥结构的所有桥臂的巨磁电阻元件或磁性隧道结元件的磁场敏感方向相同，并且全桥中相对位置的两个桥臂位于空间中的同一位置，相邻位置的两个桥臂位于空间中的不同位置。

6.根据权利要求1所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述传感器还包括电路模块，所述电路模块的输入输出端分别与传感单元以及输出引针的相应端口电连接，所述电路模块含有信号放大单元、降噪单元和解码单元。

7.根据权利要求6所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述电路模块还包含防静电单元。

8.根据权利要求6所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述电路模块还包含加密单元用于加密输出信号。

9.根据权利要求6、7或8所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述电路模块为集成电路芯片，其输入端和输出端通过印刷线路板与传感单元的相应端口电连接。

10.根据权利要求1所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述巨磁电阻元件或磁性隧道结元件附近设置有软磁体。

11.根据权利要求1、2、3、5、6、7、8任一项所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述传感器包括支架，所述支架为非永磁材料，用以支撑所述传感器的所有部件。

12.根据权利要求11所述的基于磁电阻技术的磁头，其特征在于：所述传感器包括外壳，所述外壳为非永磁材料，包覆于所述支架的外部，用以保护置于支架内的所述传感器的所有部件。