[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：

提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管，该代替基底的表面具有多个微结构；

将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：

将该代替基底具有多个微结构的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面；以及

通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。

3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底具有多个微结构的表面与该碳纳米管阵列仅通过范德华力结合。

4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该微结构为在该代替基底表面的凸起或凹陷，形状为半球形、矩形、锥形、齿形或台阶形。

5.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该微结构为相互平行并间隔设置的槽体结构。

6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底具有该微结构的表面的表面积比平滑表面的表面积增加30%~120%。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该微结构为在该代替基底表面的凸起或凹陷，该凸起的高度或该凹陷的深度为碳纳米管阵列高度的0.5%~10%。

8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，在该分离的过程中，该碳纳米管阵列中的所有碳纳米管为同时脱离该生长基底。

9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管阵列中的碳纳米管沿该碳纳米管的生长方向脱离该生长基底。

10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该生长基底中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底的碳纳米管生长表面。

11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该碳纳米管阵列之间的结合力大于该生长基底与该碳纳米管阵列之间的结合力且小于该碳纳米管阵列中碳纳米管间的范德华力。

12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底的材料为聚二甲基硅氧烷、玻璃、硅、石英、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二酯。

13.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管，该代替基底的表面具有多个微结构；

将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：

将该代替基底具有多个微结构的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面；以及

通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及

从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。

14.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一第一基底及一第二基底，该第一基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管，该第二基底的表面具有多个微结构；

将该碳纳米管阵列从该第一基底转移至该第二基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：

将该第二基底具有多个微结构的表面接触该碳纳米管阵列远离该第一基底的表面；以及

通过移动该第二基底与该第一基底中的至少一方，使该第二基底与该第一基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该第一基底分离，并转移至该第二基底；以及

从该第二基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。