[发明专利]晶圆浸泡装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体行业晶片湿法处理领域，具体地说是一种满足晶圆浸泡需求的晶圆浸泡装置。

背景技术

目前，对于半导体行业中晶片湿法处理工艺经常需要使用化学液对晶圆进行浸泡处理。而目前的晶圆浸泡方式，一般是采用整盒晶圆同时放入化学液槽中浸泡，到达预定时间后再整盒取出进行下一步的工艺处理；但在下一步的工艺处理时会出现每一片晶圆依次处理的情况，这样就造成了整盒晶圆每一片等待的时间都不同，可能会影响最终芯片的质量。所以，如何实现每一片晶圆浸泡时间的均一性是一个不可避免的问题。

发明内容

为了解决晶圆浸泡处理时单片晶圆浸泡时间和取出后等待时间的均一性问题，本发明的主要目的在于提供一种分时传片、满足对晶圆浸泡更高要求的晶圆浸泡装置。

本发明的另一目的在于提供一种提高处理效率和均匀性的晶圆浸泡装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明包括片盒、储液槽、底板、电动执行器、升降连杆、传片窗口、吹气管及气嘴，其中储液槽及电动执行器分别安装在底板上，片盒位于储液槽内，所述升降连杆的一端与电动执行器的输出端相连，另一端插入储液槽内、与所述片盒铰接；所述储液槽内的下部盛有浸泡晶片的化学液，上部的槽壁上开有供机械手将晶片送入片盒中的传片窗口；所述电动执行器驱动升降连杆带动片盒升降，使片盒上升到与所述传片窗口相对应的高度取/放晶片，或使片盒下降浸入到化学液以下浸泡晶片；所述传片窗口内侧的上下两侧分别设有安装在储液槽上的吹气管，该吹气管与气源相连通，每根吹气管上分别均布有多个气嘴，所述气嘴在所述机械手取晶片的过程中向晶片的表面吹气。

其中：所述升降连杆的一端通过连接板与电动执行器的输出端相连，该连接板上安装有倾斜气缸，所述倾斜气缸的输出端与倾斜连杆的一端连接，所述倾斜连杆的另一端插入储液槽内、与所述片盒铰接，所述倾斜气缸驱动倾斜连杆带动片盒向后倾斜；所述储液槽内盛有化学液的下部安装有超声波发生器；所述电动执行器通过支架固定在底板上，电动执行器的输出端连接有安装板，所述连接板的一端与安装板固接，另一端与所述升降连杆的一端相连；所述倾斜气缸位于升降连杆一端与安装板之间，随连接板及安装板由电动执行器驱动升降；所述倾斜连杆与升降连杆相平行；

所述上下两根吹气管上的气嘴均倾斜设置，位于所述传片窗口内侧上方的吹气管上的各气嘴向下倾斜，位于所述传片窗口内侧下方的吹气管上的各气嘴向上倾斜；

所述储液槽远离电动执行器一侧的顶部边缘安装有升降气缸，该升降气缸的输出端连接有开关所述传片窗口的挡板；所述储液槽盛有化学液的下部外表面贴有加热片；所述储液槽的顶面开有排风口，在储液槽的底面及底板上开有排液口；所述储液槽的内部或外部安装有液位传感器，该液位传感器位于储液槽内部时安装在所述储液槽盛有化学液下部的内槽壁上；所述液位传感器位于储液槽外部时，安装在液位联通管上，所述液位联通管的两端分别联通于储液槽的底部及储液槽的上部；所述储液槽上部的槽壁开有维修窗口。

本发明的优点与积极效果为：

1.本发明通过分时传片的方式，通过电动执行器驱动升降连杆带动片盒升降，实现了单片浸泡时间和取出后等待时间的均一性；在取出晶片的同时，吹气管上的气嘴分别向晶片的上下表面吹气，去除晶片表面的水膜，实现了在湿法处理过程中对晶圆浸泡的更高要求。

2.本发明在片盒浸入化学液中时可以将片盒向后倾斜设定角度，以保证晶圆不会滑出片盒；而且片盒在后倾的状态下可在化学液面以下小幅度的振荡，以加快处理效率和均匀性。

3.本发明在传片窗口处设置了由升降气缸控制的挡板，在晶片浸泡的时候，保证储液槽是一个封闭的腔体；晶片浸泡在封闭腔体中，可很大限度地减少化学液挥发和对环境的影响。

4.本发明储液槽下部的外表面贴了加热片，可以将存液槽中化学液进行加热，以减少工艺处理时间。

5.本发明的储液槽上分别设了排风口及排液口，实现了化学液的排放及气体的排出。

6.本发明的储液槽内部或外部设置了液位传感器，可时时地监测储液槽内化学液液位的变化。

7.本发明在储液槽的槽壁上开设了维修窗口，便于观察晶片浸泡情况。

8.本发明结构简单，反应迅速，安装方便，成本低。

附图说明

图1为本发明外部整体结构示意图；

图2为本发明的内部结构示意图；

图3为本发明吹气管及气嘴的结构示意图；