[发明专利]图形化衬底、倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种图形化衬底的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成若干凹坑；以及

在所述凹坑内填充绝缘介质膜以形成微透镜；

其中，所述衬底以及所述绝缘介质膜均采用透光材料，所述绝缘介质膜的折射率大于所述衬底的折射率并小于一外延层的折射率。

2.如权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、氧化锌或尖晶石。

3.如权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质膜为氮化硅或氧化钛。

4.如权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，在所述衬底表面形成若干凹坑的步骤包括：

在所述衬底上形成硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层以形成图形化的硬掩膜层；

刻蚀所述衬底以在所述衬底表面形成若干凹坑；以及

去除所述图形化的硬掩膜层。

5.如权利要求1所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，在所述衬底表面形成若干凹坑的步骤包括：

在所述衬底表面形成图形化的光刻胶；以及

以所述图形化的光刻胶为掩膜，进行感应耦合等离子体刻蚀工艺，直至所述图形化的光刻胶被完全刻蚀掉，以在所述衬底表面形成若干凹坑。

6.如权利要求1或4或5所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，在所述凹坑内填充绝缘介质膜的步骤包括：

在形成有若干凹坑的衬底表面形成绝缘介质膜，所述绝缘介质膜表面具有若干凹陷；

在所述绝缘介质膜表面涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光和显影，去除所述凹陷外的光刻胶；

对所述衬底进行刻蚀，去除所述凹坑外的绝缘介质膜，保留所述凹坑内的绝缘介质膜，以形成微透镜。

7.如权利要求1或4或5所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，在所述凹坑内填充绝缘介质膜的步骤包括：

在形成有若干凹坑的衬底表面形成绝缘介质膜；

对所述衬底进行平坦化，去除所述凹坑外的绝缘介质膜，保留所述凹坑内的绝缘介质膜，以形成微透镜。

8.一种图形化衬底，包括：衬底、形成于所述衬底表面的若干凹坑以及填充于所述凹坑内的绝缘介质膜，所述衬底以及所述绝缘介质膜均采用透光材料，所述绝缘介质膜的折射率大于所述衬底的折射率并小于一外延层的折射率。

9.如权利要求8所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、氧化锌或尖晶石。

10.如权利要求8所述的图形化衬底，其特征在于，所述绝缘介质膜为氮化硅或氧化钛。

11.一种倒装LED芯片的制作方法，包括：

提供具有第一面和第二面的衬底，所述第二面作为倒装LED芯片的出光面；

在所述衬底的第一面形成若干凹坑；

在所述凹坑内填充绝缘介质膜以形成微透镜；以及

在所述衬底的第一面以及所述微透镜上形成外延层；

其中，所述衬底以及所述绝缘介质膜均采用透光材料，所述绝缘介质膜的折射率大于所述衬底的折射率并小于所述外延层的折射率。

12.如权利要求11所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、氧化锌或尖晶石。

13.如权利要求11所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质膜为氮化硅或氧化钛。

14.如权利要求11或12或13所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述外延层包括依次形成于所述衬底的第一面上的N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层。

15.如权利要求11所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述衬底的第一面形成若干凹坑的步骤包括：

在所述衬底的第一面上形成硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层以形成图形化的硬掩膜层；

刻蚀所述衬底以在所述衬底的第一面形成若干凹坑；以及

去除所述图形化的硬掩膜层。