[发明专利]离子注入浓度的校准方法有效
申请号: | 201410141310.5 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN103927415B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 顾经纶;颜丙勇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 浓度 校准 方法 | ||
1.一种离子注入浓度的校准方法,包括:
获取二次离子质谱的实测曲线;
设置离子注入模型,所述模型为两个相互独立的Pearson函数线性相加,并由多个瞬间参数加以限定;
分别对所述多个瞬间参数进行调整,使得所述模型与所述实测曲线相吻合,从而获得最佳瞬间参数组,所述瞬间参数包括:投影射程Rp;标准差stdev;偏度γ,表征离子浓度分布曲线相对于平均值不对称程度的特征数;峰度β,描述分布形态的陡缓程度;
对所述多个瞬间参数进行调整包括:所述Rp对应着离子注入浓度的分布曲线的最大值所在的深度,若所述分布曲线的最大值位于所述实测曲线的最大值右侧,则调小Rp,若所述分布曲线的最大值位于所述实测曲线的最大值左侧,则调大Rp;
若所述分布曲线的峰值高于所述实测曲线,峰值两侧低于所述实测曲线,则调大stdev;若所述分布曲线的峰值低于所述实测曲线,峰值两侧高于所述实测曲线,则调小stdev;
若所述分布曲线相比所述实测曲线朝顺时针偏斜,则调大γ;若所述分布曲线相比所述实测曲线朝逆时针偏斜,则调小γ;
若所述分布曲线峰值右侧朝左端远离所述实测曲线,则调大β;若所述分布曲线峰值右侧朝右端远离所述实测曲线,则调小β。
2.如权利要求1所述的离子注入浓度的校准方法,其特征在于,所述模型为Fp(x)=ratio·fhead(x)+(1-ratio)·ftail(x),其中,Fp(x)为离子注入浓度,x为注入深度,fhead(x)与ftail(x)为两个相互独立的Pearson函数,ratio为非晶化剂量与总剂量的比例。
3.如权利要求2所述的离子注入浓度的校准方法,其特征在于,所述瞬间参数还包括所述ratio,若所述分布曲线的尾部低于所述实测曲线的尾部,则调小ratio;若所述分布曲线的尾部高于所述实测曲线的尾部,则调大ratio。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410141310.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。