[发明专利]有机发光二极管显示器、包括其的电子装置及其制造方法有效
申请号: | 201410141261.5 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN104167424B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 朴容焕;李在燮;姜振圭;裴晟植;安成国;曹奎哲;许俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 包括 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器、包括其的电子装置及其制造方法,所述OLED显示器包括:第一塑料层;第一阻挡层,形成在第一塑料层上;第一中间层,形成在第一阻挡层上;第二塑料层,形成在第一中间层上;OLED层,形成在第二塑料层上;以及薄膜包封层,包封OLED层。
本申请要求于2013年5月16日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0056042号韩国专利申请的权益,该申请的内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开总体上涉及有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地讲,本公开涉及一种包括柔性基底的OLED显示器、包括该OLED显示器的电子装置以及制造该OLED显示器的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器是包括空穴注入电极、电子注入电极、以及设置在它们之间的有机发射层的自发射型显示器。在此类显示器中,当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中复合时发射光。
由于OLED显示器具有诸如低功耗、优良的亮度和高响应速度的期望的特性,所以OLED显示器已经作为潜在的下一代显示器而引发关注。
如果在OLED显示器中使用重的且易碎的玻璃基底,则可能限制了便携性和大屏幕显示能力。因此,近来已经开发了使用由塑料形成的柔性基底的柔性OLED显示器,所述塑料不但轻而且抗冲击。
然而,由于湿气或氧可以相对容易地透过此类柔性基底,所以有可能加速有机发射层(易受湿气或氧的影响)的劣化。
发明内容
本发明提供一种包括具有低水蒸气透过率和高粘结强度的柔性基底的有机发光二极管(OLED)显示器,以及制造该OLED显示器的方法。
根据本发明的一方面,提供一种有机发光二极管(OLED)显示器,所述OLED显示器包括:第一塑料层;第一阻挡层,形成在第一塑料层上;第一中间层,形成在第一阻挡层上;第二塑料层,形成在第一中间层上;OLED层,形成在第二塑料层上;以及薄膜包封层,包封OLED层。
第一中间层可以包括非晶材料。
第一中间层可以包括非晶硅。
第一中间层可以包括金属或金属氧化物薄膜。
第一中间层可以具有至少10%的紫外(UV)光透射率。
第一中间层图案化可以被图案化成第一中间层与OLED层基本彼此叠置。
所述OLED显示器可以包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域,第一中间层与OLED层在第一区域中彼此叠置,第一阻挡层与第二塑料层在第二区域中彼此接触。
第一塑料层和第二塑料层可以共同地包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的至少一种。
第二塑料层的厚度可以大于第一塑料层的厚度。
第二塑料层的粘度可以低于第一塑料层的粘度。
第一阻挡层可以包括无机材料。
无机材料可以包括金属氧化物、氧化硅和氮化硅中的至少一种。
第一阻挡层可以包括至少一层。
所述OLED显示器还可以包括位于第二塑料层和OLED层之间的第二阻挡层。
第二阻挡层可以包括无机材料,并且还可以包括至少一层。
所述OLED显示器还可以包括位于第二阻挡层和OLED层之间的包括第三塑料层和第三阻挡层的至少一组层,其中,在第二阻挡层和第三塑料层之间还可以形成第二中间层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410141261.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:佩戴式照明装置
- 下一篇:一种管道泄漏监测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的