[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410141013.0 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104979276A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供等待超时晶圆，所述晶圆已形成有铜种子层；
采用氢气和氮气对所述铜种子层进行还原处理；
先采用大颗粒等离子气体刻蚀所述铜种子层，再采用小颗粒等离子气体对所述铜种子层表面进行修复。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原处理在除气腔内进行。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大颗粒等离子气体为氩气。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小颗粒等离子气体为氦气。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在高偏压功率下沉积铜层，以使铜金属的晶向转向Cu〈111〉,其中，所述高偏压功率范围为800～1000W。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述铜种子层上电镀形成铜层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原处理的温度为200～300℃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢气和氮气的比例为3:97～4:96。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用第二射频功率进行所述刻蚀。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用第一射频功率进行所述修复。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述铜种子层上电镀形成铜层之前还包括对所述铜种子层进行表面润湿的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
