[发明专利]一种深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410140457.2 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103950887A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 涂良成;伍文杰;范继;刘金全;罗俊 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；
（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。
2.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤（2）包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段；
第一刻蚀阶段的刻蚀深度为120～180μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mtorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，时间0.375～0.40s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率50～75W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.6～0.85s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s；
第二刻蚀阶段的刻蚀深度为100～150μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率100W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.65～0.9s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
3.如权利要求2所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤（2）还包括第三刻蚀阶段；
第三刻蚀阶段的刻蚀深度为90～110μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率150W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.65～1s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
4.如权利要求3所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤（2）还包括第四刻蚀阶段；
第四刻蚀阶段的刻蚀深度为40～60μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率150～200W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.8～1s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
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