[发明专利]ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法

权利要求书

1.一种ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将硅基片放入等离子体腔体中，然后将过滤网固定在硅基片的前端，并对等离子体腔体内进行抽真空，再将氩气通入到等离子体腔体内，然后对等离子体腔体施加350～450A的磁线圈电流及100～300W的微波使腔体中的初始电子在磁场和微波的耦合作用下产生电子回旋运动，使通入的氩气离化，得到氩等离子体；

2)对碳靶施加-300V～-200V的负直流偏压，等离子体腔体中的氩离子经加速后轰击碳靶，使碳靶中的碳原子团经过过滤网沉积到硅基片的表面，同时给硅基片与过滤网施加相同的20～100V的正电压，使得碳膜沉积的同时受到通过过滤网处理后的电子照射，得碳膜。

2.根据权利要求1所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，所述硅基片的一端固定有导电的过滤网夹具，过滤网固定于所述过滤网夹具上。

3.根据权利要求1所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，步骤1)中对等离子体腔体内进行抽真空，再将氩气通入到等离子体腔体内的具体操作为：对等离子体腔体抽真空，当真空度大于2～5×10^-4Pa后将氩气通入到等离子体腔体中，使等离子体腔体内的气压大于2～6×10^-2Pa。

4.根据权利要求1或2所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，所述过滤网为表面预先涂覆有纳晶碳膜保护层的304不锈钢滤网。

5.根据权利要求1或2所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，所述过滤网孔径小于等于1mm。

6.根据权利要求4所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，所述碳原子团穿过过滤网在硅基片上沉积的碳膜厚度h＝5I_t，其中，I_t为碳靶上的电流，h为碳膜的厚度。

7.根据权利要求4所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法，其特征在于，所述过滤网与硅基片间距小于等于15mm。