[发明专利]ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法有效

专利信息
申请号: 201410140362.0 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN103938175A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 刁东风;郑煜东;范雪 申请(专利权)人: 西安交通大学;深圳大学
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46;C23C14/06
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 蔡和平
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: ecr 前置 过滤网 控制 电子 照射 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将硅基片放入等离子体腔体中,然后将过滤网固定在硅基片的前端,并对等离子体腔体内进行抽真空,再将氩气通入到等离子体腔体内,然后对等离子体腔体施加350~450A的磁线圈电流及100~300W的微波使腔体中的初始电子在磁场和微波的耦合作用下产生电子回旋运动,使通入的氩气离化,得到氩等离子体;

2)对碳靶施加-300V~-200V的负直流偏压,等离子体腔体中的氩离子经加速后轰击碳靶,使碳靶中的碳原子团经过过滤网沉积到硅基片的表面,同时给硅基片与过滤网施加相同的20~100V的正电压,使得碳膜沉积的同时受到通过过滤网处理后的电子照射,得碳膜。

2.根据权利要求1所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,所述硅基片的一端固定有导电的过滤网夹具,过滤网固定于所述过滤网夹具上。

3.根据权利要求1所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,步骤1)中对等离子体腔体内进行抽真空,再将氩气通入到等离子体腔体内的具体操作为:对等离子体腔体抽真空,当真空度大于2~5×10-4Pa后将氩气通入到等离子体腔体中,使等离子体腔体内的气压大于2~6×10-2Pa。

4.根据权利要求1或2所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,所述过滤网为表面预先涂覆有纳晶碳膜保护层的304不锈钢滤网。

5.根据权利要求1或2所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,所述过滤网孔径小于等于1mm。

6.根据权利要求4所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,所述碳原子团穿过过滤网在硅基片上沉积的碳膜厚度h=5It,其中,It为碳靶上的电流,h为碳膜的厚度。

7.根据权利要求4所述的ECR基板前置过滤网控制下的电子照射加工碳膜方法,其特征在于,所述过滤网与硅基片间距小于等于15mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学;深圳大学,未经西安交通大学;深圳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410140362.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top