[发明专利]相变型二氧化钒薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种相变型二氧化钒薄膜，为多层结构，其特征是：包括基层，所述的基层上设有二氧化钒纳米薄膜层，所述的二氧化钒纳米薄膜层上设有红外透光膜层。

2.根据权利要求1所述的一种相变型二氧化钒薄膜，其特征是：所述的二氧化钒纳米薄膜层为采用离子束反应溅射法沉积二氧化钒薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种相变型二氧化钒薄膜，其特征是：所述的红外透光膜层由高折射率膜和低折射率膜蒸镀或溅射镀制而成。

4.根据权利要求3所述的一种相变型二氧化钒薄膜，其特征是：所述的高折射率膜为Tio₂薄膜，所述的低折射率膜为Sio₂薄膜。

5.根据权利要求1或3所述的一种相变型二氧化钒薄膜，其特征是：所述的红外透光膜层由6层膜蒸镀而成，由下至上依次为第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层，所述的第一、三、五膜层为Tio₂薄膜，所述的第二、四、六膜层为Sio₂薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种相变型二氧化钒薄膜，其特征是：所述的基层为玻璃基层。

7.一种相变型二氧化钒薄膜的制备方法，采用如权利要求1至6任意一项所述的相变型二氧化钒薄膜，其特征是：其制备方法包括下列步骤

（1）对基层表面进行清洗；

（2）在基层上沉积一层二氧化钒纳米薄膜层；

（3）采用离子束反应溅射法，在基层上沉积二氧化钒纳米薄膜层，离子束反应溅射工艺条件为：背底真空1.2×10^-4~1.2×10^-3Pa，氧气压强:1×10^-3Pa,氩气压强1.5×10^-2~2.15×10^-2Pa，离子束流功率10~30W，衬底温度200~350℃，溅射时间：20~35min，溅射采用的靶材为钒靶；

（4）取出沉积二氧化钒纳米薄膜层的样片，进行退火处理，退火气体采用氩气，退火工艺条件为：退火温度350~450℃，退火时间为20~240分钟，气体流量为10~50立方厘米/秒；

（5）对样片进行电阻测试，得到电阻温度测试曲线；

（6）在样片的二氧化钒纳米薄膜层上镀红外透光膜层，红外透光膜层包括Tio₂薄膜和Sio₂薄膜，在二氧化钒纳米薄膜层上分别镀上Tio₂薄膜和Sio₂薄膜。

8.根据权利要求7所述的一种相变型二氧化钒薄膜的制备方法，其特征是：

在上述（6）中，在二氧化钒纳米薄膜层上镀上Tio₂薄膜，在Tio₂薄膜上再镀上Sio₂薄膜，再在Sio₂薄膜上依次镀上Tio₂薄膜、Sio₂薄膜、Tio₂薄膜、Sio₂薄膜，共6小层。

9.根据权利要求8所述的一种相变型二氧化钒薄膜的制备方法，其特征是：上述的具有6小层红外透光膜层中，由下至上依次为第一膜层Tio₂薄膜厚度为69.37nm、第二膜层Sio₂薄膜厚度为120nm、第三膜层Tio₂薄膜厚度为277.68nm、第四膜层Sio₂薄膜厚度为80nm、第五膜层Tio₂薄膜厚度为262 nm、第六膜层Sio₂薄膜厚度为311nm。