[发明专利]晶闸管及其版图结构

权利要求书

1.一种晶闸管，其特征在于，包括：衬底；位于衬底中的N阱和P阱；位于N阱中的第一N型注入区及第一P型注入区；位于P阱中的第二N型注入区及第二P型注入区；以及位于N阱和P阱之间的第三N型注入区；其中，所述第二N型注入区和第三N型注入区之间形成有栅极结构，所述栅极结构通过电容与第一电平连接，所述栅极结构通过电阻与第二电平连接，所述第一电平高于第二电平。

2.如权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述栅极结构包括氧化层及位于所述氧化层上的多晶硅层。

3.如权利要求2所述的晶闸管，其特征在于，所述电容由所述多晶硅层及位于所述多晶硅层上的金属层形成。

4.如权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，所述多晶硅层与所述金属层之间还形成有介质层。

5.如权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，所述金属层为铜金属层或者铝金属层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的晶闸管，其特征在于，所述第一N型注入区与第一P型注入区之间、第一P型注入区与第三N型注入区之间、以及第二N型注入区与第二P型注入区之间均形成有隔离结构。

7.如权利要求1～5中任一项所述的晶闸管，其特征在于，所述第一N型注入区上、第一P型注入区上、第二N型注入区上、第二P型注入区上均形成有金属电极。

8.如权利要求7所述的晶闸管，其特征在于，所述第一N型注入区及第一P型注入区通过金属电极与第一电平连接，所述第二N型注入区及第二P型注入区通过金属电极与第二电平连接。

9.如权利要求1～5中任一项所述的晶闸管，其特征在于，所述第二电平为地电位。

10.一种晶闸管的版图结构，其特征在于，包括：衬底区；位于衬底区上的N阱区和P阱区；位于N阱区和P阱区上顺次排列的五个注入区区域；其中，第三个注入区区域与第四个注入区区域之间具有栅极结构区，所述栅极结构区上形成有金属线区。