[发明专利]一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法

权利要求书

1.一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，包括：

步骤一，利用光学线宽测量仪测量并收取前批次晶圆上的中间部分的接触孔线宽全映射数据和边缘部分的接触孔线宽全映射数据以建立一数据库；

步骤二，通过所述数据库将得到的前批次晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据的平均值和晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的平均值，与工艺要求的接触孔线宽相比，分别得到前批次晶圆中间部分的宽差和晶圆边缘部分的宽差；

步骤三，一APC系统根据前批次所述晶圆中间部分的宽差和晶圆边缘部分的宽差，以及根据刻蚀气体流量与接触孔线宽的线性关系，调整后批次每片晶圆中间部分和晶圆边缘部分的刻蚀气体流量；

步骤四，在接触孔刻蚀工艺步骤中，通过所述APC系统实时修正后批次每片晶圆中间部分和晶片边缘部分的刻蚀气体流量，返回步骤一。

2.如权利要求1所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤二中，

前批次所述晶圆中间部分的宽差的计算公式为：

ΔA=Z-L1    （公式1）

前批次所述晶圆边缘部分的宽差的计算公式为：

ΔB=Z-L2    （公式2）

其中，Z为工艺要求的接触孔线宽，L1为前批次晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据的平均值，L2为前批次晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的平均值，ΔA为前批次晶圆中间部分的宽差，ΔB为前批次晶圆边缘部分的宽差，Z、L1、L2、ΔA和ΔB的单位均为nm。

3.如权利要求2所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述线性关系为：每增加3sccm刻蚀气体流量，接触孔线宽增大1nm；每减小3sccm刻蚀气体流量，接触孔线宽减小1nm。

4.如权利要求3所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤三中，

所述APC系统调整后批次每片晶圆中间部分的刻蚀气体流量的计算公式为：

C=3*ΔA    （公式3）

所述APC系统调整后批次每片晶圆边缘部分的刻蚀气体流量的计算公式为：

E=3*ΔB    （公式4）

其中，C为后批次晶圆中间部分的刻蚀气体调整流量，E为后批次晶圆边缘部分的刻蚀气体调整流量；

公式3：若C为正值，表示增加后批次晶圆中间部分的刻蚀气体流量的流量值，若C为负值，表示减少后批次晶圆中间部分的刻蚀气体流量的流量值；

公式4：若E为正值，表示增加后批次晶圆边缘部分的刻蚀气体流量的流量值，若E为负值，表示减少后批次晶圆边缘部分的刻蚀气体流量的流量值。

5.如权利要求1所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，所述数据库至少存在分别用于前批次所述晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据和晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的存储空间。

6.如权利要求5所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，所述数据库分别获得的前批次所述晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据的平均值和晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的平均值，与一普通线宽测量仪获得的接触孔线宽全映射数据的平均值相比，所采样的数据数目多。

7.如权利要求5所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，所述数据库采样10%-100%的数据，分别计算前批次所述晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据的平均值和晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的平均值。

8.如权利要求5所述的改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，所述数据库采样30%-70%的数据，分别计算前批次所述晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据的平均值和晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的平均值。