[发明专利]一种宽温稳定储能介质陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410138772.1 申请日: 2014-04-04
公开(公告)号: CN103922734A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 刘韩星;许琪;郝华;曹明贺;李天明;尧中华;余志勇 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 稳定 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种宽温稳定储能介质陶瓷,其特征在于:其化学式为(1-x)[0.92(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.08BaTiO3]-xNaNbO3,其中x=0.15~0.45。

2.一种制备权利要求1所述的宽温稳定储能介质陶瓷的方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)以Na2CO3、Bi2O3、BaCO3、Nb2O5和TiO2作为原料,根据化学式(1-x)[0.92(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.08BaTiO3]-xNaNbO3中金属元素化学计量比配料,其中x=0.15~0.45,将配好的原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨,并经烘干、预烧得到陶瓷粉体;

(2)将步骤(1)所得陶瓷粉体球磨,烘干、研磨、过筛,然后采用干压成型得到陶瓷生坯;

(3)将步骤(2)得到的陶瓷生坯在高温炉中烧结,得到宽温稳定储能介质陶瓷。

3.根据权利要求2所述的制备宽温稳定储能介质陶瓷的方法,其特征在于:步骤(1)所述用湿式球磨法混合球磨是用氧化锆球和无水乙醇作为介质,混合球磨22~26小时;步骤(1)所述预烧是室温下以2℃/min的升温速率升温至800~900℃,保温2~3h,随炉自然冷却。

4.根据权利要求2所述的制备宽温稳定储能介质陶瓷的方法,其特征在于:步骤(2)所述球磨是用氧化锆球和无水乙醇作为介质,混合球磨22~26小时;所述过筛是过60~100目筛;所述干压成型的压力大小为150~200MPa。

5.根据权利要求2所述的制备宽温稳定储能介质陶瓷的方法,其特征在于:步骤(1)和步骤(2)所述烘干是在80~100℃温度下保温12~24h。

6.根据权利要求2所述的制备宽温稳定储能介质陶瓷的方法,其特征在于:步骤(3)所述在高温炉中烧结是室温下以4℃/min的升温速率升温至1000℃,随后以2℃/min的升温速率升温至1080~1150℃下保温2~3小时,随炉自然冷却。

7.根据权利要求1所述宽温稳定储能介质陶瓷加工得到的储能介质陶瓷元件,其特征在于:储能密度为1.21~1.70J/cm3,储能效率为58.0~68.8%。

8.根据权利要求1所述的宽温稳定储能介质陶瓷加工得到的储能介质陶瓷元件,其特征在于:分别在-3~354℃(x=0.15)、-31~178℃(x=0.35)、-55~162℃(x=0.45)温度范围内满足容温变化率|△C/C25℃|≤15%。

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