[发明专利]发光结构在审
| 申请号: | 201410138317.1 | 申请日: | 2014-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN104979461A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
| 发明(设计)人: | 林锦源 | 申请(专利权)人: | 林锦源 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;常大军 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 结构 | ||
1.一种发光结构,包括有一封装基底,以及一设置于所述封装基底上的发光体,所述封装基底包含一承载基板,以及多个排列设置于所述承载基板上的金属单元,所述金属单元外缘上任两点的距离定义出一外围端点距离,所述发光体包含有极性相异且分开设置的一第一电性金属与一第二电性金属,所述第一电性金属与所述第二电性金属之间的最短距离定义出一电性金属间距,其中所述第一电性金属与第二电性金属间的所述电性金属间距大于所述金属单元最长的所述外围端点距离。
2.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述多个接触面的形状选自由方形、三角形、十字形及圆形所组成的群组。
3.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述多个金属单元彼此分开且交错设置于所述承载基板上。
4.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述多个金属单元以阵列方式排列设置于所述承载基板上。
5.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述第一电性金属为一p极,所述第二电性金属为一n极。
6.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述发光体为一三族氮系列半导体发光叠层。
7.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述发光体更具有一粗糙表面,位于所述第一电性金属与第二电性金属的另一侧。
8.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述承载基板为硅基板或AIN、BN等高导热陶瓷基板。
9.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,所述承载基板包含相对于所述多个金属单元设置于所述承载基板另一侧的一第一电极与一第二电极,以及贯穿所述承载基板的第一电性连接通道与一第二电性连接通道,所述第一电性连接通道两端分别连接多个所述金属单元与所述第一电极,所述第二电性连接通道两端分别连接多个所述金属单元与所述第二电极。
10.如权利要求1所述发光结构,其特征在于,更包含一透明成长基板,形成于所述发光体相对于所述第一电性金属与第二电性金属的另一侧。
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