[发明专利]磁控溅射镀膜系统有效

专利信息
申请号: 201410138095.3 申请日: 2014-04-08
公开(公告)号: CN103938168A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 张迅;张伯伦;李景艳;易伟华 申请(专利权)人: 江西沃格光电股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启
地址: 338004 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射 镀膜 系统
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射镀膜系统,包括进片室、进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室,其特征在于,还包括七个传动装置及基片架,其中,

所述七个传动装置分别设置于所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室中,每个所述传动装置包括多个平行设置的传动轴及套设于每个所述传动轴上的多个第一橡胶圈;

所述基片架包括基片架主体和多个第二橡胶圈,所述基片架主体包括框架、固定设置于所述框架上的安装杆及可滑动地设置于所述框架上的多个固定杆,所述多个第二橡胶圈设置于所述安装杆上;

待镀膜基片放置于所述基片架的安装杆上并与所述第二橡胶圈抵接,且所述待镀膜基片夹持于所述多个固定杆之间;所述基片架放置于所述传动轴上并与所述第一橡胶圈抵接,且所述基片架随所述传动轴的转动而带动所述待镀膜基片依次沿所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室水平运行。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,所述溅射室包括连通的第一腔室和第二腔室,所述第一腔室中设置有四个直流溅射电源,所述第二腔室中也设置有四个直流溅射电源。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,还包括六个红外辐射加热器,所述六个红外辐射加强器分别设置于所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、第一腔室、第二腔室和出片过渡室中。

4.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,还包括八个冷却装置,所述八个冷却装置分别与所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、第一腔室、第二腔室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室相连。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、第一腔室、第二腔室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室中均设置有进水管和出水管,所述进水管和出水管连通,每个所述冷却装置包括一个冷冻机、两个冷却泵和一个冷水塔,所述冷冻机与所述冷水塔电连接,其中一个冷却泵与所述进水管和冷水塔连通,另一个冷却泵与所述出水管和冷水塔连通。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,还包括抽真空装置,所述抽真空装置包括机械泵、罗茨泵和分子泵,所述机械泵均与所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室连通,所述罗茨泵均与所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室连通,所述分子泵均与所述进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室和出片缓冲室连通。

7.根据权利要求3所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,还包括控制系统,所述控制系统包括PLC主控制柜、电加热控制柜、传动电机控制柜、溅射电源控制柜和电压稳压器,所述PLC主控制柜用于控制所述电加热柜、传动电机控制柜、溅射电源控制柜和电压稳压器的工作,所述电加热控制用于控制所述红外辐射加热器工作,所述传动电机控制柜用于控制所述传动装置运行,所述溅射电源控制柜用于控制所述溅射室中的电源工作,所述电压稳压器用于控制所述溅射室中的镀膜电压。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,所述电加热控制柜进行PID运算,通过固体继电器的电压脉冲控制所述红外辐射加热器的加热频率。

9.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,还包括检漏系统,所述检漏系统均与所述进片室、进片缓冲室、进片过渡室、溅射室、出片过渡室、出片缓冲室和出片室连通。

10.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统,其特征在于,还包括机械臂,所述机械臂用于装载基片和卸载基片。

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