[发明专利]晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统在审
申请号: | 201410137354.0 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103913690A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 庞磊;陈晓娟;罗卫军;袁婷婷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 王立民;张应 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 输出 电阻 特性 测量方法 系统 | ||
1.一种晶体管输出电阻频散特性的测量方法,其特征在于,包括:
为晶体管的栅极提供负向偏置电压;
为晶体管的漏极提供正向偏置电压和交流信号;
获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻;
获取所述输出电阻与所述交流信号的选定频率之间的对应关系,以得到所述晶体管输出电阻频散特性。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述交流信号进行抗所述正向偏置电压干扰的处理。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述正向偏置电压进行隔离所述交流信号的处理。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述交流信号的幅值小于等于500毫伏。
5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述交流信号的选定频率在20Hz至200KHz之间选择。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻包括:
获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电压;
利用采样电阻获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电流;
根据所述晶体管的漏源电压和漏源电流,获取所述晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻。
7.一种晶体管输出电阻频散特性的测量系统,其特征在于,包括:
第一直流电源模块,用于为晶体管的栅极提供负向偏置电压;
第二直流电源模块,用于为晶体管的漏极提供正向偏置电压;
交流信号输出模块,用于为晶体管的漏极提供交流信号;
输出电阻测量模块,用于获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻;以及,
频散特性输出模块,用于获取所述输出电阻与所述交流信号的选定频率之间的对应关系,以得到所述晶体管输出电阻频散特性。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
抗干扰模块,用于对所述交流信号进行抗所述正向偏置电压干扰的处理。
9.根据权利要求7或8所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
隔离模块,用于对所述正向偏置电压进行隔离所述交流信号的处理。
10.根据权利要求7所述的系统,所述输出电阻测量模块包括:
第一电压测量单元,用于获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电压;
第二电压测量单元,用于利用采样电阻获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电流;以及,
输出电阻计算单元,用于根据所述晶体管的漏源电压和漏源电流,获取所述晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻。
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