[发明专利]晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统在审

专利信息
申请号: 201410137354.0 申请日: 2014-04-04
公开(公告)号: CN103913690A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 庞磊;陈晓娟;罗卫军;袁婷婷 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 王立民;张应
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 输出 电阻 特性 测量方法 系统
【权利要求书】:

1.一种晶体管输出电阻频散特性的测量方法,其特征在于,包括:

为晶体管的栅极提供负向偏置电压;

为晶体管的漏极提供正向偏置电压和交流信号;

获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻;

获取所述输出电阻与所述交流信号的选定频率之间的对应关系,以得到所述晶体管输出电阻频散特性。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

对所述交流信号进行抗所述正向偏置电压干扰的处理。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

对所述正向偏置电压进行隔离所述交流信号的处理。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

所述交流信号的幅值小于等于500毫伏。

5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

所述交流信号的选定频率在20Hz至200KHz之间选择。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻包括:

获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电压;

利用采样电阻获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电流;

根据所述晶体管的漏源电压和漏源电流,获取所述晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻。

7.一种晶体管输出电阻频散特性的测量系统,其特征在于,包括:

第一直流电源模块,用于为晶体管的栅极提供负向偏置电压;

第二直流电源模块,用于为晶体管的漏极提供正向偏置电压;

交流信号输出模块,用于为晶体管的漏极提供交流信号;

输出电阻测量模块,用于获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻;以及,

频散特性输出模块,用于获取所述输出电阻与所述交流信号的选定频率之间的对应关系,以得到所述晶体管输出电阻频散特性。

8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:

抗干扰模块,用于对所述交流信号进行抗所述正向偏置电压干扰的处理。

9.根据权利要求7或8所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:

隔离模块,用于对所述正向偏置电压进行隔离所述交流信号的处理。

10.根据权利要求7所述的系统,所述输出电阻测量模块包括:

第一电压测量单元,用于获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电压;

第二电压测量单元,用于利用采样电阻获取所述晶体管的漏极与源极之间的漏源电流;以及,

输出电阻计算单元,用于根据所述晶体管的漏源电压和漏源电流,获取所述晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻。

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