[发明专利]一种改变电铸结构表面能的方法

权利要求书

1.一种改变电铸结构表面能的方法，其特征在于，具体步骤如下：

第一步，在硅片表面溅射金属种子层，金属种子层的厚度为50-300nm；

第二步，在金属种子层上涂覆光刻胶，光刻胶的厚度为100-900μm，得到电铸形模；然后在电铸形模中电铸，电铸金属的厚度小于或者等于电铸形模的高度，去除光刻胶，得到硅片金属微结构；电铸金属过程的电铸液成分及电铸条件为：硫酸铜60-80g/L、硫酸100-200g/L、光亮剂0.1ml/L、平整剂1ml/L、电铸温度25-28℃和电流密度2-6A/dm²；

第三步，在硅片金属微结构上选择性电雾化沉积石墨烯，石墨烯厚度为3-100nm；石墨烯墨水：将0.001-0.01g乙基纤维素和1.0-2.0g无水乙醇混合，加入0.005-0.1g石墨烯粉末，然后加入0.5-1.0g去离子水混匀，得到石墨烯墨水；选择性电雾化沉积石墨烯：用上述的石墨烯墨水，在2-10kV电压条件下，位移平台以2-10mm/s速度运动，进行单层沉积，得到沉积石墨烯的硅片金属微结构；

第四步，将沉积石墨烯的硅片金属微结构放入电铸槽中，通以反向电流，在硅片金属微结构得到5nm-1μm的微纳结构，调控该区域的电铸结构的表面能；过程的电铸液成分及电铸条件除电流密度为1-2A/dm²外，其他条件和第二步的完全一样。

2.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的光刻胶是正胶或负胶。

3.权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的选择性电雾化沉积石墨烯中用0.4mm内径的喷针。