[发明专利]片上变压器、其版图结构、发射电路及收发电路有效
申请号: | 201410136620.8 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103928438B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 付健;周李 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变压器 版图 结构 发射 电路 收发 | ||
1.一种片上变压器,其特征在于,包括:初级线圈及次级线圈,其中,所述初级线圈和次级线圈上对应设有多个抽头组,每个抽头组包括两个抽头。
2.如权利要求1所述的片上变压器,其特征在于,所述初级线圈和次级线圈上对应设有两个抽头组。
3.一种如权利要求1所述的片上变压器的版图结构,其特征在于,包括:基板;位于所述基板上的两根金属线,两根金属线均以同一中心绕成多个环形结构,并且一根金属线所绕成的多个环形结构中至少有一个环形结构与另一根金属线所绕成的环形结构相邻,其中,每根金属线上对应连接有多个金属条组,每个金属条组包括两根金属条。
4.如权利要求3所述的片上变压器的版图结构,其特征在于,两根金属线所绕成的环形结构位于同一金属层次,并且交错排布。
5.如权利要求3所述的片上变压器的版图结构,其特征在于,两根金属线所绕成的环形结构分别位于相邻两个金属层次。
6.一种片上变压器的发射电路,其特征在于,包括:如权利要求1所述的片上变压器;多个功率放大器,每个功率放大器的输出端与所述片上变压器的初级线圈连接。
7.如权利要求6所述的片上变压器的发射电路,其特征在于,每个功率放大器的输出端通过所述初级线圈上的一个抽头组与所述初级线圈连接。
8.如权利要求7所述的片上变压器的发射电路,其特征在于,所述功率放大器的数量为两个,两个功率放大器形成两条信号发射通路,每条信号发射通路均接入需要发射的差分输入信号,通过所述片上变压器的阻抗变换,从其初级线圈对应的抽头组上得到需要的阻抗,与功率放大器的输出阻抗完成最优阻抗匹配,所述片上变压器的次级线圈对应的抽头组上得到单端输出信号。
9.如权利要求8所述的片上变压器的发射电路,其特征在于,在两条信号发射通路中,当一条信号发射通路工作时,另一条信号发射通路不工作。
10.一种片上变压器的收发电路,其特征在于,包括:如权利要求1所述的片上变压器;一个或者多个功率放大器,每个功率放大器的输出端与所述片上变压器的初级线圈连接;一个或者多个低噪声放大器,每个低噪声放大器的输入端与所述片上变压器的初级线圈连接。
11.如权利要求10所述的片上变压器的收发电路,其特征在于,每个功率放大器的输出端通过所述初级线圈上的一个抽头组与所述初级线圈连接;每个低噪声放大器的输入端通过所述初级线圈上的一个抽头组与所述初级线圈连接。
12.如权利要求11所述的片上变压器的收发电路,其特征在于,所述功率放大器的数量为一个,一个功率放大器形成信号发射通路,该信号发射通路接入需要发射的差分输入信号,通过所述片上变压器的阻抗变换,从其初级线圈对应的抽头组上得到需要的阻抗,与功率放大器的输出阻抗完成最优阻抗匹配,所述片上变压器的次级线圈对应的抽头组上得到单端输出信号;所述低噪声放大器的数量为一个,一个低噪声放大器形成信号接收通路,该信号接收通路接入接收到的单端输入信号,所述低噪声放大器输出差分信号,同时完成接收天线端与其输入端的阻抗匹配。
13.如权利要求12所述的片上变压器的收发电路,其特征在于,当信号发射通路工作时,信号接收通路不工作;当信号接收通路工作时,信号发射通路不工作。
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