[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

权利要求书

1.一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，其特征在于，该方法的具体过程为：

第一步，针对双极型器件进行电离辐射试验，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪的低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪的低温测试台紧密连接，并将双极型器件的基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；

第二步，设置测试参数，该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，并保证反向偏压V_R为-20V到+20V、脉冲电压V_P为-3V到+3V、测试周期T_W为2ms到200s、脉冲宽度T_P为2ms到2s、温度扫描范围为50K到350K，获得氧化物电荷的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰半高宽；

第三步，根据第二步获得的氧化物电荷的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。

2.根据权利要求1所述的一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，其特征在于，所述双极型器件电离辐射损伤缺陷为缺陷浓度，所述缺陷浓度包括双极型器件氧化物电荷的缺陷浓度和界面态的缺陷浓度，其中：双极型器件氧化物电荷的缺陷浓度为

NT1=2NDΔC1CR1]]>    （公式一），

其中，ΔC₁为氧化物电荷的DLTS信号峰的峰高，C_R1表示氧化物电荷DLTS信号峰的峰高对应温度下的反向电容，N_D表示器件中所测试区域的掺杂浓度；

所述双极型器件的界面态的缺陷浓度为：

NT2=2NDΔC2CR2]]>    （公式二）；

ΔC₂为界面态的DLTS信号峰的峰高，C_R2表示界面态DLTS信号峰的峰高对应温度下的反向电容。

3.根据权利要求1所述的一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，其特征在于，所述双极型器件电离辐射损伤缺陷为缺陷能级，所述缺陷能级包括双极型器件氧化物电荷的缺陷能级和界面态的缺陷能级，其中：双极型器件氧化物电荷的缺陷能级为

E_T1=f(T_W)T₁    （公式三），

其中，f(T_W)表示缺陷能级因数，T₁为氧化物电荷的DLTS信号峰所对应的温度，

所述的双极型器件界面态的缺陷能级为

E_T2=f(T_W)T₂    （公式四）；

T₂表示界面态的DLTS信号峰所对应的温度。