[发明专利]一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法

权利要求书

1.一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，其特征在于，该方法的具体过程为：

步骤一、选取一个双极型器件，根据选取的双极型器件钝化层的厚度和密度，利用SRIM软件对该双极型器件的结构进行仿真，获取注入的氢离子的能量与射程；

步骤二、根据步骤一确定的氢离子的能量与射程，利用TCAD软件对选取的双极型器件结构进行仿真，获取抗辐照性能参数；所述抗辐照性能参数包括电流增益、过剩基极电流、电源电流和输入电流；

步骤三、改变注入双极型器件的氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录此时的氢离子的注量；

步骤四、根据步骤一获取的注入氢离子的能量与射程和步骤三获取的注入氢离子的注量，在选取的双极型器件的钝化层中注入氢离子；

步骤五、对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。

2.根据权利要求1所述一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，其特征在于，步骤一所述的氢离子的能量的范围为：60keV-110keV。

3.根据权利要求1所述一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，其特征在于，步骤三所述的氢离子的注量的范围为：1E9p/cm²-1E11p/cm²。

4.根据权利要求3所述一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，其特征在于，步骤三所述的氢离子的注量为1E11p/cm²。

5.根据权利要求1所述一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，其特征在于，所述双极型器件包括NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。