[发明专利]一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201410135478.5 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103872105A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘广桥;李兴冀;赵玉玲;刘艳秋;段庆禄;杨剑群;孙毅;刘超铭;李鹏伟;宋桂芬;何世禹 | 申请（专利权）人： | 石家庄天林石无二电子有限公司;哈尔滨工业大学;中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张利明 |
| 地址： | 050035 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 加固 双极型 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种抗辐照加固双极型晶体管，其特征在于，该晶体管的发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度，n为大于3的正整数。
2.根据权利要求1所述的一种抗辐照加固双极型晶体管，其特征在于，n的取值范围大于3小于10。
3.根据权利要求1所述的一种抗辐照加固双极型晶体管，其特征在于，所有矩形齿结构的宽度均相等。
4.根据权利要求1所述的一种抗辐照加固双极型晶体管，其特征在于，位于对称线同一侧、相邻的两个矩形齿之间的距离与所述矩形齿的宽度相等。
5.一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，该制备方法，
在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；
基区扩散完成后，在基区的表面扩散了一层硼或磷；
掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；
在氧化时，保证干氧氧化层的厚度在1nm至10nm之间，湿氧氧化层的厚度在200nm至1μm之间。
6.根据权利要求5所述的一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基区的表面扩散的一层硼或磷，所述硼或磷的浓度在1E17/cm3至1E20/cm3之间。
7.根据权利要求5所述的一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，基区的扩散结深度为1.5μm。
8.根据权利要求5所述的一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，发射区的扩散结深度为1.2μm。
9.根据权利要求5所述的一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在氧化时，干氧氧化层的厚度为5.5nm。
10.根据权利要求5所述的一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在氧化时，湿氧氧化层的厚度为700nm。
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