[发明专利]晶圆的切割方法和MEMS晶圆的切割方法

权利要求书

1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括：

提供待切割晶圆，所述待切割晶圆包括多条分别沿第一方向和第二方向延伸的切割道，所述第一方向和第二方向垂直；

在沿第一方向延伸的切割道内形成沿第一方向的第一凹槽；

在沿第二方向延伸的切割道内形成沿第二方向的第二凹槽；

形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分别沿所述第一凹槽和第二凹槽继续切割所述待切割晶圆，直至切割透所述待切割晶圆。

2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽的深度为所述待切割晶圆厚度的55%～85%。

3.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在沿第二方向延伸的切割道内形成沿第二方向的第二凹槽的步骤包括：

在沿第二方向延伸的各切割道内，形成两条平行的所述第二凹槽。

4.如权利要求3所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在沿第一方向延伸的切割道内形成沿第一方向的第一凹槽的步骤包括：

在沿第一方向延伸的各切割道内，形成两条平行的所述第一凹槽。

5.如权利要求3所述的晶圆的切割方法，其特征在于，

在沿第一方向延伸的切割道内形成沿第一方向的第一凹槽的步骤包括：在沿第一方向延伸的切割道内形成一条所述第一凹槽；

在沿第二方向延伸的各切割道内，形成两条平行的所述第二凹槽的步骤之后继续沿所述第二凹槽切割所述待切割晶圆，直至切割透所述待切割晶圆；在沿第一方向延伸的切割道内再形成一条第一凹槽，并继续切割所述第一凹槽，直至切割透所述待切割晶圆。

6.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在形成第一凹槽和第二凹槽之后，在切割透所述待切割晶圆之前还包括：进行清洗步骤。

7.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在沿第一方向延伸的切割道内形成沿第一方向的第一凹槽的步骤包括：在沿第一方向延伸的切割道内形成一条沿第一方向的第一凹槽；

在沿第二方向延伸的切割道内形成沿第二方向的第二凹槽的步骤包括：在沿第二方向延伸的切割道内形成一条沿第二方向的第二凹槽。

8.一种MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面上包括多个呈阵列排列的芯片；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第一表面，在所述第二晶圆的第一表面上包括多个呈阵列排列的空腔，其中，相邻行方向上空腔之间形成有沿行方向延伸的切割道，相邻列方向上空腔之间形成有沿列方向延伸的切割道；所述第一晶圆的第一表面和第二晶圆的第一表面固定连接，且各个芯片位于各空腔内；

在沿列方向延伸的切割道内形成沿列方向的第一凹槽；

在沿行方向延伸的切割道内形成沿行方向的第二凹槽；

形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分别沿所述第一凹槽和第二凹槽继续切割所述第二晶圆，直至切割透所述第二晶圆。

9.如权利要求8所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，在沿行方向延伸的切割道内形成沿行方向的第二凹槽的步骤包括：

在沿行方向延伸的各切割道内，形成两条平行的所述第二凹槽。

10.如权利要求9所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，在沿列方向延伸的切割道内形成沿行方向的第一凹槽的步骤包括：

在沿列方向延伸的各切割道内，形成两条平行的所述第一凹槽。

11.如权利要求9所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，

在沿列方向延伸的切割道内形成沿列方向的第一凹槽的步骤包括：

在沿列方向延伸的切割道内形成一条所述第一凹槽；

在沿行方向延伸的各切割道内，形成两条平行的所述第二凹槽的步骤之后继续沿所述第二凹槽切割所述第二晶圆，直至切割透所述第二晶圆；

在沿列方向延伸的切割道内再形成一条第一凹槽，并继续切割所述第一凹槽，直至切割透所述第二晶圆。

12.如权利要求8所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，在形成第一凹槽和第二凹槽之后，在切割透所述待切割晶圆之前还包括：进行清洗步骤。

13.如权利要求8所述的MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，在沿列方向延伸的切割道内形成沿列方向的第一凹槽的步骤包括：在沿列方向延伸的切割道内形成一条沿列方向的第一凹槽；

在沿行方向延伸的切割道内形成沿行方向的第二凹槽的步骤包括：在沿行方向延伸的切割道内形成一条沿行方向的第二凹槽。