[发明专利]一种多级阻变存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种多级阻变存储器单元，包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极；其特征在于，所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层,所述顶电极的材料为Ag或Cu。

2.按权利要求1所述一种多级阻变存储器单元，其特征在于，所述隔离层的材料为Ta、Ti或Al，厚度为1～10nm。

3.按权利要求1所述一种多级阻变存储器单元，其特征在于，所述多级阻变存储器单元为圆形或方形，其直径或边长为50纳米～500微米。

4.按权利要求1所述一种多级阻变存储器单元，其特征在于，所述顶电极尺寸小于多级阻变存储器单元尺寸，当多级阻变存储器单元为圆形时，顶电极直径为40纳米～450微米；当多级阻变存储器单元为方形时，顶电极边长为40纳米～450微米。

5.按权利要求1所述一种多级阻变存储器单元，其特征在于，所述阻变层的材料为NiO、HfO₂或ZnO，厚度为30～100nm。

6.按权利要求1所述一种多级阻变存储器单元，其特征在于，所述顶电极的材料为Ag或Cu，厚度为50-300nm。

7.按权利要求1所述一种多级阻变存储器单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1.在覆盖Pt或Au的Si基片上采用剥离光刻工艺，经过涂胶、预烘、曝光、后烘、范爆、显影、烘干工艺，光刻出相应尺寸和形状的阻变存储器单元图形；

步骤2.采用真空镀膜方法，在经步骤1光刻出图形的基片上依次沉积隔离层与阻变层；

步骤3.采用与步骤1相同工艺，在经步骤2沉积得阻变层上制备顶电极，即最终制备得多级阻变存储器单元。